晶体生成的一般过程是先生成晶核,而后再逐渐长大.一般认为晶体从液相或气相中的生长有三个阶段:①介质达到过饱和、过冷却阶段;②成核阶段;②生长阶段.在某种介质体系中,过饱和、过冷却状态的出现,并不意味着整个体系的同时结晶.体系内...

晶体的生产过程通常是以一个杂质或者说微晶作为结晶的中心点，然后向外逐渐加入晶体的溶质慢慢生长出来的。

以过饱和的NaCl溶液中NaCl晶体的形成过程为例:在过饱和的NaCl溶液中，有大量带正、负电荷的Na+和Cl－离子。在一定的热力学条件下，随着温度的逐渐降低，离子的动能减小，Na+与Cl－离子间引力作用增大，相互结合首先形成线晶...

1.由气相转变为晶体当某些气体处于过饱和蒸气压或过冷却温度条件时，可直接转变为晶体。从火山口喷发出来的含硫气体通过凝华作用形成自然硫晶体；空气中的水蒸气在冬季玻璃窗上凝结成冰花，都是由气相转变为晶体的例子。自然...

焰熔法的工作原理是利用氢氧火焰产生的高温，将振荡器振动所抖落的粉末材料加热熔化，熔融的熔体落在支架顶端的籽晶上，随着支架的缓慢下降，熔体逐渐结晶为梨形晶体（图13-2）。其工艺过程为：原料提纯→制备粉料→晶体生长...

使肩部近似直角；然后，进入等径工艺，通过控制热场温度和晶体提升速度，生长出一定直径规格大小的单晶柱体；最后，待大部分硅溶液都已经完成结晶时，再将晶体逐渐缩小而形成一个尾形锥体，称为收尾工艺；这样一个单晶拉制过程...

在液体中晶体的生长，首先是由于温度降低、溶液达到过饱和而产生晶芽;晶体的长大过程，实质上是溶液中的质点向晶芽上粘附而使结晶格子逐渐扩大的过程。科塞尔这样来描述晶体长大的过程:图1－7为一正在生长着的晶体，其上面的...

单晶渣盖的制备过程一般包括化学气相沉积、物理气相沉积等工艺，要求制备出的薄膜具有均匀性、致密性和无缺陷等特性。目前，单晶渣盖已广泛应用于各种半导体器件的制造过程中，如晶体管、集成电路、光电子器件等，是半导体工艺中...

因此所生长的晶体的方向性是由籽晶所决定的，在其被拉出和冷却后就生长成了与籽晶内部晶格方向相同的单晶硅棒。用直拉法生长后，单晶棒将按适当的尺寸进行切割，然后进行研磨，将凹凸的切痕磨掉，再用化学机械抛光工艺使...

沿某个晶面生长，是指晶体在该晶面上沉积，实际生长方向为该晶面的法线方向，最后形成晶体外形的晶面为生长慢的晶面。