mdf18n50场效应管采用的是联发科天玑800u处理器，这款处理器采用的是台积电七纳米的制程工艺，支持5G双模全网通功能，它的跑分仅仅只有三十几万分，是一款入门级别的武器双模处理器另外这款，手机内置了，4000毫安电池支持30w的...

可以，应为STF13NK50Z-场效应管MOSFETN沟道500V11ATO-220FP，而18n50也是n沟道500V19A239W,所以可以用

常用场效应管（25N120等）参数及代换FGA25N120AND（IGBT）1200V/25A//TO3P（电磁炉用）FQA27N25（MOSFET）250V/27A/TO3PIRFP254FQA40N25（MOSFET）250V/40A/280W/0.051Ω/TO3PIRFP2FQA55N25（MOSFET）...

18N50场效应管可用23N50B和25N50代替；场效应晶体管（FieldEffectTransistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型（junctionFET—JFET)和金属-氧化物半导体场效应管（metal-oxidesemiconductorFET，简称MOS-FET）...

18N60场效应管参数如下：1、最大漏极电压（VDSS）：600V。2、最大漏极电流（ID）：18A，3、最大功率（PD）：200W。4、静态漏极电阻（RDS(on)）：0.5Ω。5、开启时间（tON）：15ns。6、关闭时间（tOFF）：100ns...

18n20参数：是场效应管，N沟，18A，200V。可以直接代换型号有：HM0、KIA18N20、PFB18N20、SIF0、SM0、STP18N20、SMK1820D2、STB18N20说明：电路上的场效应管代换，必须选用等于或适当高于被代换的管子的参数。外...

K3683是带阻尼的N沟场效管，其参数是：19.0A/500.0V/270W

是一只N沟道MOS场效应管，它的主要电参数是：Vdss=500V，Id=13A，Rds(on)max=0.3Ω。可以使用FDPF13N50N直接代换，它们的参数一样，只是序号有差别。也可以使用EUM091R、EUM092R直接代换，参数一模一样。

可代用的管子有18N50，12N60，20N60等

是N沟道增强型MOS管。管脚排列：正面对自己管脚向下，分别为G.D.S。用不着万用表来区分管脚。