区熔法制备单晶硅的工业流程的具体步骤和图片
发布网友
发布时间：2022-04-29 17:52
共1个回答
热心网友
时间：2023-10-26 09:05
不知道能不能帮忙的。
图 FZ 法单晶硅拉晶运作原理和结构
悬浮区熔法：
主要用于提纯和生长硅单晶；其基本原理是：依靠熔体的表面张力，使熔区悬浮于多晶硅
棒与下方生长出的单晶之间，通过熔区向上移动而进行提纯和生长单晶。具有如下特点：
1.不使用坩埚，单晶生长过程不会被坩埚材料污染
2.由于杂质分凝和蒸发效应，可以生长出高电阻率硅单晶
热心网友
时间：2023-10-26 09:05
不知道能不能帮忙的。
图 FZ 法单晶硅拉晶运作原理和结构
悬浮区熔法：
主要用于提纯和生长硅单晶；其基本原理是：依靠熔体的表面张力，使熔区悬浮于多晶硅
棒与下方生长出的单晶之间，通过熔区向上移动而进行提纯和生长单晶。具有如下特点：
1.不使用坩埚，单晶生长过程不会被坩埚材料污染
2.由于杂质分凝和蒸发效应，可以生长出高电阻率硅单晶
热心网友
时间：2023-10-26 09:05
不知道能不能帮忙的。
图 FZ 法单晶硅拉晶运作原理和结构
悬浮区熔法：
主要用于提纯和生长硅单晶；其基本原理是：依靠熔体的表面张力，使熔区悬浮于多晶硅
棒与下方生长出的单晶之间，通过熔区向上移动而进行提纯和生长单晶。具有如下特点：
1.不使用坩埚，单晶生长过程不会被坩埚材料污染
2.由于杂质分凝和蒸发效应，可以生长出高电阻率硅单晶
