肖特基二极管 参数
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发布时间：2022-04-20 06:55
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时间：2022-05-13 04:30
一、肖特基二极管性能参数如下：
1、VF正向压降Forward Voltage Drop
2、VFM 最大正向压降Maximum Forward Voltage Drop
3、VBR 反向击穿电压Breakdown voltage
4、VRMS能承受的反向有效值电压RMS Input Voltage
5、VRWM 反向峰值工作电压Working Peak Reverse Voltage
6、VDC最大直流截止电压Maximum DC Blocking Voltage
7、Trr 反向恢复时间Reverse Recovery Time
8、IF(AV) 正向电流Forward Current
9、IFSM 最大正向浪涌电流Maximum Forward Surge Current
10、IR 反向电流Working Peak Reverse Voltage
11、TA 环境温度或自由空气温度Ambient Temperature
12、TJ 工作结温Operating Junction Temperature
13、TRMS储存温度Storage Temperature Range
14、TC 反向峰值工作电压Case Temperature
扩展资料：
肖特基二极管肖特基（Schottky）二极管，又称肖特基势垒二极管（简称 SBD），它属一种低功耗、超高速半导体器件。
最显著的特点为反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右。其多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管，也有用在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。在通信电源、变频器等中比较常见。
一个典型的应用，是在双极型晶体管 BJT 的开关电路里面，通过在 BJT 上连接 Shockley 二极管来箝位，使得晶体管在导通状态时其实处于很接近截止状态，从而提高晶体管的开关速度。这种方法是 74LS，74ALS，74AS 等典型数字 IC 的 TTL内部电路中使用的技术。
肖特基（Schottky）二极管的最大特点是正向压降 VF 比较小。在同样电流的情况下，它的正向压降要小许多。另外它的恢复时间短。它也有一些缺点：耐压比较低，漏电流稍大些。选用时要全面考虑。
参考资料：百度百科-肖特基二极管
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时间：2022-05-13 05:48
常用肖特基二极管型号:
常用的有引线式肖特基二极管有D80-004、B82-004、MBR1545、MBR2535等型号
肖特基二极管常见的型号：MBR300100CT
MBR400100CT
MBR500100CT
MBR600100CT
MBR30050CT
MBR40050CT
MBR50050CT
MBR60050CT
肖特基二极管是问世的低功耗、大电流、超高速半导体器件。其反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右，而整流电流却可达到几千毫安。这些优良特性是快恢复二极管所无法比拟的。中、小功率肖特基整流二极管大多采用封装形式。
拓展资料
肖特基二极管（SBD）是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode，缩写成SBD）的简称，是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的半导体器件。肖特基二极管是低功耗、大电流、超高速半导体器件，它不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。
参考资料：搜狗百科 肖特基二极管
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时间：2022-05-13 07:22
肖特基二极管是以其发明人肖特基博士命名的，SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD）的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。
因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。
肖特基二极管参数如下：
扩展资料
肖特基二极管分为有引线和表面安装（贴片式）两种封装形式。 采用有引线式封装的肖特基二极管通常作为高频大电流整流二极管、续流二极管或保护二极管使用。它有单管式和对管（双二极管）式两种封装形式。肖特基对管又有共阴（两管的负极相连）、共阳（两管的正极相连）和串联（一只二极管的正极接另一只二极管的负极）三种管脚引出方式。
采用表面封装的肖特基二极管有单管型、双管型和三管型等多种封装形式，有A~19种管脚引出方式
SBD的主要优点包括两个方面：
1）由于肖特基势垒高度低于PN结势垒高度，故其正向导通门限电压和正向压降都比PN结二极管低（约低0.2V）。
2）由于SBD是一种多数载流子导电器件，不存在少数载流子寿命和反向恢复问题。SBD的反向恢复时间只是肖特基势垒电容的充、放电时间，完全不同于PN结二极管的反向恢复时间。由于SBD的反向恢复电荷非常少，故开关速度非常快，开关损耗也特别小，尤其适合于高频应用。
但是，由于SBD的反向势垒较薄，并且在其表面极易发生击穿，所以反向击穿电压比较低。由于SBD比PN结二极管更容易受热击穿，反向漏电流比PN结二极管大。
参考资料：百度百科肖特基二极管
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时间：2022-05-13 09:14
型号 额定I（AV）A VRRM V向峰值电压 浪涌电流IFSM A 反向恢复时间ns
SB020 0.6 20 20 10
SB030 0.6 30 20 10
SB040 0.6 40 20 10
1N5817 1 20 25 10
1N5818 1 30 25 10
1N5819 1 40 25 10
SB120 1 20 40 10
SB130 1 30 40 10
SB140 1 40 40 10
SB150 1 50 40 5
SB160 1 60 40 5
SR120 1 20 40 20
SR130 1 30 40 20
SR140 1 40 40 20
SR150 1 50 40 20
SR160 1 60 40 20
SR180 1 80 40 20
SR1A0 1 100 40 20
SB220 2 20 50 20
SB230 2 30 50 20
SB240 2 40 50 20
SB250 2 50 50 20
SB260 2 60 50 20
SR220 2 20 50 10
SR230 2 30 50 10
SR240 2 40 50 10
SR250 2 50 50 10
SR260 2 60 50 10
SR280 2 80 50 10
SR2A0 2 100 50 10
1N5820 3 20 80 20
1N5821 3 30 80 20
1N5822 3 40 80 20
SB320 3 20 80 20
SB330 3 30 80 20
SB340 3 40 80 20
SB350 3 50 80 10
SB360 3 60 80 10
SR320 3 20 80 20
SR330 3 30 80 20
SR340 3 40 80 20
SR350 3 50 80 20
SR360 3 60 80 20
SR380 3 80 80 20
SR3A0 3 100 80 20
SB520 5 20 150 50
SB530 5 30 150 50
SB540 5 40 150 50
SB550 5 50 150 25
SB560 5 60 150 25
SR520 5 20 150 50
SR530 5 30 150 50
SR540 5 40 150 50
SR550 5 50 150 25
SR560 5 60 150 25
SR580 5 80 150 25
SR5A0 5 100 150 25
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时间：2022-05-13 11:22
