NAND与ROM有什么区别
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发布时间:2022-04-20 07:21
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时间:2023-01-27 22:15
NAND闪存是一种比硬盘驱动器更好的存储设备,在不超过4GB的低容量应用中表现得犹为明显;ROM 是 ROM image(只读内存镜像)的简称,常用于手机定制系统玩家的圈子中。
NAND工作原理
与磁性的HDD不同,NAND必须处于数据可以被写入的状态,没有HDD所具有的“位写入”(write-in-place)功能。如果数据已经被写在NAND上,那么该数据必须被擦除NAND才能接受新的数据。擦除是一个破环薄层材质的过程。
NAND机构的简单解释起到了对此稍做澄清的作用,虽然这仍然令人困惑。
NAND记忆体实质上由被称为页(page)和区块(block)的两类结构组成。每页最常见是4/2 KB(可以是其它大小,但这是最常见的),代表一个读取和写入单元。多个页组成32/128 KB或者128/512 KB的区块。NAND读取和写入是在页的级别上被执行的。相反,擦除是在区块级别上被执行的。
ROM定义
智能手机配置中的ROM指的是 EEProm (电擦除可写只读存储器),类似于计算机的硬盘,一般手机刷机的过程,就是将只读内存镜像(ROM image)写入只读内存(ROM)的过程。智能手机的ROM指的是其存储空间,一般是由UFS等闪存制作,其硬件不是只读的,所谓只读是指软件层面对系统分区的读写权限设置。
常见的 ROM image 有 img、zip 等格式,前者通常用fastboot程序通过数据线刷入(线刷),后者通常用 recovery 模式从 sd刷入(卡刷),固 img 镜像也被称为线刷包,zip 镜像也被称为卡刷包。
因为 ROM image 是定制系统最常见的发布形式,所以通常玩家会使用 ROM 这个词指代手机的操作系统。
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时间:2023-01-27 23:33
NAND 还是闪存 速度接近每秒7M左右(数据线传输)。
ROM就是固态内存 速度虽慢 但可在无电状态下存储。
RAM 有两大类,一种称为静态RAM(Static RAM/SRAM),SRAM速度非常快,是目前读写最快的存储设备了,但是它也非常昂贵,所以只在要求很苛刻的地方使用,譬如CPU的一级缓冲,二级缓 冲。
另一种称为动态RAM(Dynamic RAM/DRAM),DRAM保留数据的时间很短,速度也比SRAM慢,不过它还是比任何的ROM都要快,但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很 多,计算机内存就是DRAM的。
目前Flash主要有两种NOR Flash和NADN Flash。
NOR Flash的读取和我们常见的SDRAM的读取是一样,用户可以直接运行装载在NOR FLASH里面的代码,这样可以减少SRAM的容量从而节约了成本。NAND Flash没有采取内存的随机读取技术,它的读取是以一次读取一块的形式来进行的,通常是一次读取512个字节,采用这种技术的Flash比较廉价。
用户不能直接运行NAND Flash上的代码,因此好多使用NAND Flash的开发板除了使用NAND Flah以外,还作上了一块小的NOR Flash来运行启动代码。
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时间:2023-01-28 01:08
NAND 还是闪存 速度接近每秒7M左右(数据线传输)
ROM就是固态内存 速度虽慢 但可在无电状态下存储
还有一个叫RAM 其优点速度飞快 不过只能在通电状态下保持 一般电脑内存都是采用其格式
一般除关机情况下都不断电 不过在不使用其内存的文件时会暂停工作 好比省电状态
安装文件安装到机身优点就是启动快 省电 安装到其他磁盘就要持续读写所以相对慢且耗电
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时间:2023-01-28 02:59
NAND flash是东芝公司开发的一种非易失闪存技术,具较高的单元密度,可以达到高存储密度,写入和擦除速度较快。NAND flash的单元尺寸几乎是NOR器件的一半,可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量,具有很快的写入和擦除速度,主要功能是存储资料,目前主要用在数码相机闪存卡和MP3播放机中。
RAM 有两大类,一种称为静态RAM(Static RAM/SRAM),SRAM速度非常快,是目前读写最快的存储设备了,但是它也非常昂贵,所以只在要求很苛刻的地方使用,譬如CPU的一级缓冲,二级缓 冲。
另一种称为动态RAM(Dynamic RAM/DRAM),DRAM保留数据的时间很短,速度也比SRAM慢,不过它还是比任何的ROM都要快,但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很 多,计算机内存就是DRAM的。
ROM是只读内存(Read-Only Memory)的简称,是一种只能读出事先所存数据的固态半导体存储器。它的特性是一旦储存资料就无法再将之改变或删除。通常用在不需经常变更资料的电子或电脑系统中,并且资料不会因为电源关闭而消失。结构方面较简单,读出较方便,因而常用于存储各种固定程序和数据。
拓展资料
常见的ROM image有img、zip等格式。前者通常用 fastboot 程序通过数据线刷入(线刷),后者通常用 recovery 模式从 sd刷入(卡刷),故img镜像也被称为线刷包,zip镜像也被称为卡刷包。
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时间:2023-01-28 05:07
NAND 还是闪存 速度接近每秒7M左右(数据线传输)
ROM就是固态内存 速度慢 但可无电存储
spb mobile shell 3.0不能够安装在NAND上,内存不够了,就腾点地方嘛
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时间:2023-01-28 07:32
你好:
NAND结构能提供极高的单元密度,可以达到高存储密度,并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于flash的管理和需要特殊的系统接口。
ROM只读内存(Read-Only Memory)是一种只能读取资料的内存。是一种半导体内存,其特性是一旦储存资料就无法再将之改变或删除。
Spb Mobile Shell(3.0)让你完全可以自己规划你的桌面。
TouchFLO 3D,就是HTC公司特有的新触控技术,在钻石一代发行的时候面世,操控手感可比iphone
配合WM系统的无限今日,很实用。但是相对来说,比一般的软件要吃内存吃的多~
可以看看touch的视频~
地址:http://tv.mofile.com/8JMVY357
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时间:2023-01-28 10:13
ROM是电脑的系统盘 NANA是D盘
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时间:2023-01-28 13:11
存储芯片,又称为存储器,是指利用电能方式存储信息的半导体介质设备,其存储与读取过程体现为电子的存储或释放,广泛应用于内存、U 盘、消费电子、智能终端、固态存储硬盘等领域,目前有取代磁盘的趋势。存储芯片是全球芯片市场比重最大的产品之一。
存储芯片根据断电后所储存的数据是否会丢失,可以分为易失性存储器(Volatile Memory)和非易失性存储器(Non-Volatile Memory),其中DRAM 与 NAND Flash 分别为这两类存储器的代表。尽管存储芯片种类众多,但从产值构成来看,DRAM 与NAND Flash 已经成为存储芯片产业的主要构成部分。
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时间:2023-01-28 16:26
RAM(Random Access Memory)的全名为随机存取记忆体,它相当于PC机上的移动存储,用来存储和保存数据的。它在任何时候都可以读写,RAM通常是作为操作系统或其他正在运行程序的临时存储介质(可称作系统内存)。
不过,当电源关闭时RAM不能保留数据,如果需要保存数据,就必须把它们写入到一个长期的存储器中(例如硬盘)。正因为如此,有时也将RAM称作“可变存储器”。RAM内存可以进一步分为静态RAM(SRAM)和动态内存(DRAM)两大类。DRAM由于具有较低的单位容量价格,所以被大量的采用作为系统的主记忆。
ROM(Read Only Memory)的全名为唯读记忆体,它相当于PC机上的硬盘,用来存储和保存数据。ROM数据不能随意更新,但是在任何时候都可以读取。即使是断电,ROM也能够保留数据。但是资料一但写入后只能用特殊方法或根本无法更改,因此ROM常在嵌入式系统中担任存放作业系统的用途。现在市面上主流的PDA的ROM大小是64MB以及128MB。
RAM和ROM相比,两者的最大区别是RAM在断电以后保存在上面的数据会自动消失,而ROM就不会。
由于ROM不易更改的特性让更新资料变得相当麻烦,因此就有了Flash Memory的发展 ,Flash Memory具有ROM不需电力维持资料的好处,又可以在需要的时候任意更改资料 ,不过单价也比普通的ROM要高。
SRAM速度非常快,是目前读写最快的存储设备了,但是它也非常昂贵,所以只在要求很苛刻的地方使用,譬如CPU的一级缓冲,二级缓冲。动态RAM(Dynamic RAM/DRAM)保留数据的时间很短,速度也比SRAM慢,不过它还是比任何的ROM都要快,但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多,计算机内存就是DRAM的。
DRAM分为很多种,常见的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等,这里介绍其中的一种DDR RAM。
DDR RAM(Date-Rate RAM)也称作DDR SDRAM,这种改进型的RAM和SDRAM是基本一样的,不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据,这样就使得数据传输速度加倍了。这是目前电脑中用得最多的内存,而且它有着成本优势,事实上击败了Intel的另外一种内存标准-Rambus DRAM。在很多高端的显卡上,也配备了高速DDR RAM来提高带宽,这可以大幅度提高3D加速卡的像素渲染能力。
内存工作原理:内存是用来存放当前正在使用的(即执行中)的数据和程序,我们平常所提到的计算机的内存指的是动态内存(即DRAM),动态内存中所谓的"动态",指的是当我们将数据写入DRAM后,经过一段时间,数据会丢失,因此需要一个额外设电路进行内存刷新操作。
具体的工作过程是这样的:一个DRAM的存储单元存储的是0还是1取决于电容是否有电荷,有电荷代表1,无电荷代表0。但时间一长,代表1的电容会放电,代表0的电容会吸收电荷,这就是数据丢失的原因;刷新操作定期对电容进行检查,若电量大于满电量的1/2,则认为其代表1,并把电容充满电;若电量小于1/2,则认为其代表0,并把电容放电,藉此来保持数据的连续性。
ROM也有很多种,PROM是可编程的ROM,PROM和EPROM(可擦除可编程ROM)两者区别是,PROM是一次性的,也就是软件灌入后,就无法修改了,这种是早期的产品,现在已经不可能使用了,而EPROM是通过紫外光的照射擦出原先的程序,是一种通用的存储器。另外一种EEPROM是通过电子擦出,价格很高,写入时间很长,写入很慢。
举个例子,手机软件一般放在EEPROM中,我们打电话,有些最后拨打的号码,暂时是存在SRAM中的,不是马上写入通过记录(通话记录保存在EEPROM中),因为当时有很重要工作(通话)要做,如果写入,漫长的等待是让用户忍无可忍的。
FLASH存储器又称闪存,它结合了ROM和RAM的长处,不仅具备电子可擦除可编程(EEPROM)的性能,还不会断电丢失数据同时可以快速读取数据(NVRAM的优势),U盘和MP3里用的就是这种存储器。在过去的20年里,嵌入式系统一直使用ROM(EPROM)作为它们的存储设备,然而近年来Flash全面代替了ROM(EPROM)在嵌入式系统中的地位,用作存储Bootloader以及操作系统或者程序代码或者直接当硬盘使用(U盘)。
目前Flash主要有两种NOR Flash和NADN Flash。NOR Flash的读取和我们常见的SDRAM的读取是一样,用户可以直接运行装载在NOR FLASH里面的代码,这样可以减少SRAM的容量从而节约了成本。NAND Flash没有采取内存的随机读取技术,它的读取是以一次读取一块的形式来进行的,通常是一次读取512个字节,采用这种技术的Flash比较廉价。用户不能直接运行NAND Flash上的代码,因此好多使用NAND Flash的开发板除了使用NAND Flah以外,还作上了一块小的NOR Flash来运行启动代码。
一般小容量的用NOR Flash,因为其读取速度快,多用来存储操作系统等重要信息,而大容量的用NAND FLASH,最常见的NAND FLASH应用是嵌入式系统采用的DOC(Disk On Chip)和我们通常用的"闪盘",可以在线擦除。目前市面上的FLASH 主要来自Intel,AMD,Fujitsu和Mxic,而生产NAND Flash的主要厂家有Samsung和Toshiba及Hynix。