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溶解硅片用氢氧化钠和氢氟酸哪个快?

发布网友 发布时间:2022-04-29 10:29

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热心网友 时间:2022-06-26 05:31

氢氧化钠溶解速度慢,而且需要加热,因为硅酸钠是高粘性的,氢氧化钠扩散慢。而氢氟酸与硅生成氟硅酸,粘性与水差不多,不影响氢氟酸的扩散。
硅片表的面氧化物如何去除?

氢氟酸是个挺强的腐蚀剂,它能够迅速地把硅片表面的氧化硅溶解掉。工作时得穿戴好防护装备,因为氢氟酸挺危险的。另外,有时候也会用到干法腐蚀,比如等离子体腐蚀,这个方法可以更加精确控制腐蚀过程,不过设备和操作上通常更复杂一些。

硅片为什么要用氢氟酸清洗?

3. 去除氧化物:硅片表面可能存在氧化物(如二氧化硅)的附着层,这些氧化物会减弱硅片表面的纯度和光洁度。氢氟酸能够与氧化物发生化学反应,溶解掉氧化物层,使硅片表面变得干净、光滑。4. 净化硅片表面:氢氟酸在一定条件下能够迅速溶解硅片表面极薄的一层硅,从而达到净化表面的效果。这是因为氢氟酸与硅反...

硅片腐蚀的基本步骤

若硅片含有[100]晶向的晶粒,则可形成金字塔状的绒面。第五步通过盐酸中和残余的氢氧化钠,化学反应方程式为:NaOH + HCl = NaCl + H₂O。第七步使用氢氟酸去除硅片表面的二氧化硅层,化学反应方程式为:SiO₂ + 4HF = SiF₄ + 2H₂O。2. 我们对粗抛光过程进行了实验,...

hf和naoh反应条件

氢氟酸用HF(氟化氢)溶于水而得。用于雕刻玻璃、清洗铸件上的残砂、控制发酵、电抛光和清洗腐蚀半导体硅片(与HNO3的混酸)。因为氢原子和氟原子间结合的能力相对较强,使得氢氟酸在水中不能完全电离。氢氟酸和熔融氢氧化钠都能用于微丝表面玻璃包覆层的去除。

硅片腐蚀的注意事项

1. 在工序1和3中氢氧化钠溶液与硅片反应时会有碱蒸气产生,故设备运行时请关闭有机玻璃门。2. 盐酸是挥发性强酸,不不要去闻其味道。3. 氢氟酸会腐蚀玻璃,故不与玻璃器械接触,也不要去闻氢氟酸的味道。4. 如果酸或碱不小心溅入眼内或溅到脸上,请立即打开洗脸洗眼池上盖冲洗。

对于腐蚀工艺,它到底是一个什么样的过程?

邻苯二酚和水)和联胺,无机腐蚀剂则包括碱性腐蚀液,例如氢氧化钾(KOH)、氢氧化钠(NaOH)和氢氧化铵(NH4OH)。与干法腐蚀相比,湿法腐蚀速率较快,各向异性较差,成本较低,能够腐蚀整个硅片的厚度,因此具有较高的机械灵敏度。然而,湿法腐蚀在控制腐蚀厚度方面存在困难,并且难以与集成电路集成。

硅片腐蚀的基本步骤

第五步是通过盐酸中和残余的氢氧化钠,化学反应方程式为: 。第七步氢氟酸络合掉硅片表面的二氧化硅层,化学反应方程式为: 。2. 我们就粗抛作过实验,投入50片硅片:a. 在20%NaOH溶液中,温度为80℃,反应了10分钟,硅片厚度平均去掉了32μm。b. 在15%NaOH溶液中,温度为80℃,反应了10分钟,...

氢氟酸可以完全的把普通玻璃溶解吗?

氢氟酸用于雕刻玻璃、清洗铸件上的残砂、控制发酵、电抛光和清洗腐蚀半导体硅片(与HNO3的混酸)。因为氢原子和氟原子间结合的能力相对较强,使得氢氟酸在水中不能完全解离。氢氟酸能够溶解很多其他酸都不能溶解的玻璃(二氧化硅),反应方程式如下:SiO2(s) + 6 HF(aq) → H2SiF6(aq) + 2 H2O(l)正...

清洗和制绒是硅晶片制作的重要步骤之一,硅片化学清洗的主要目的是除去硅...

(1)氢氟酸(HF)不能用玻璃试剂瓶盛装,因为它会与玻璃中的二氧化硅反应,生成氟化硅气体和水,从而腐蚀玻璃。正确的化学方程式为:SiO2 + 4HF → SiF4↑ + 2H2O。(2)硅片制绒过程中,硅与氢氧化钠溶液反应,生成硅酸钠和氢气。该反应的离子方程式为:Si + 2OH- + H2O → SiO32- + 2H2↑...

太阳能电池片生产工艺,哪位大神可以帮忙?

硅的各向异性腐蚀液通常用热的碱性溶液,可用的碱有氢氧化钠,氢氧化钾、氢氧化锂和乙二胺等。大多使用廉价的浓度约为1%的氢氧化钠稀溶液来制备绒面硅,腐蚀温度为70-85℃。为了获得均匀的绒面,还应在溶液中酌量添加醇类如乙醇和异丙醇等作为络合剂,以加快硅的腐蚀。制备绒面前,硅片须先进行初步...

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