pe cvd ladcvd区别
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发布时间：2023-02-16 21:46
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时间：2023-09-17 23:55
PECVD依靠射频感应产生的等离子体，实现薄膜沉积工艺的低温化（小于450度）低温沉积是其主要优点，从而节省能源、降低成本、提高产能、减少了高温导致的硅片中少子寿命衰减，可应用于PERC、TOPCON、HJT等多种电池片的工艺中。
LADCVD成膜均匀性好、致密无孔洞、台阶覆盖特性好、可在低温进行（室温—400℃）、可简单精确控制薄膜厚度、广泛适用于不同形状的基底、无需控制反应物流量均匀性。但缺点是成膜速度较慢。如用于生产纳米结构的绝缘体(Al2O3/TiO2)和薄膜电致发光显示器（TFEL）的硫化锌(ZnS)发光层。
