磁路的磁阻如何计算,磁阻的单位是什么?
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发布时间：2022-09-02 08:35
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时间：2023-10-07 14:56
一段磁路，它有均匀长方形截面，磁感应线和截面垂直。令截面上的磁通量是Φ，磁路两端的磁位差是Um，磁阻的单位是每亨［利］（H）。磁路的磁阻公式：
两段磁路串联时，总磁阻Rm是每段磁路的磁阻(Rm1和Rm2)之和，即Rm=Rm1+Rm2。 例如继电器的衔铁断开时，继电器铁芯组成的磁路中串联有由空气隙构成的一小段磁路，使整个磁路的磁阻增加。
永磁体提供磁通，经过软磁体连接后在空隙处产生磁场。磁路中的总磁通量是守恒的，但在空隙处的磁通密度相对降低，因有部分磁通在非空隙处流失，称之为漏磁，导致磁路中的磁阻。
磁阻由该磁路的几何形状、尺寸、材料的磁特性等因素决定。
扩展资料
若外加磁场与外加电场垂直，称为横向磁阻效应；若外加磁场与外加电场平行，称为纵向磁阻效应。一般情况下，载流子的有效质量的驰豫时时间与方向无关，则纵向磁感强度不引起载流子偏移，因而无纵向磁阻效应。
磁阻效应主要分为：
1、常磁阻(OrdinaryMagnetoresistance,OMR)
对所有非磁性金属而言，由于在磁场中受到洛伦兹力的影响，传导电子在行进中会偏折，使得路径变成沿曲线前进，如此将使电子行进路径长度增加，使电子碰撞机率增大，进而增加材料的电阻。
2、巨磁阻(GiantMagnetoresistance,GMR)
所谓巨磁阻效应，是指磁性材料的电阻率在有外磁场作用时较之无外磁场作用时存在巨大变化的现象。巨磁阻是一种量子力学效应，它产生于层状的磁性薄膜结构。这种结构是由铁磁材料和非铁磁材料薄层交替叠合而成。
当铁磁层的磁矩相互平行时，载流子与自旋有关的散射最小，材料有最小的电阻。当铁磁层的磁矩为反平行时，与自旋有关的散射最强，材料的电阻最大。
3、超巨磁阻(ColossalMagnetoresistance,CMR)
超巨磁阻效应（也称庞磁阻效应）存在于具有钙钛矿(Perovskite)ABO3的陶瓷氧化物中。其磁阻变化随着外加磁场变化而有数个数量级的变化。其产生的机制与巨磁阻效应(GMR)不同，而且往往大上许多，所以被称为“超巨磁阻”。
参考资料来源：百度百科-磁阻
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时间：2023-10-07 14:56
1.磁阻计算：
其中A、l分别是该段磁路的截面积和长度(见图);μ是磁路材料的磁导率。
2.磁阻的单位是亨利(H)。
3.补充：磁阻（magnetic reluctance）是指含有永磁体的磁路中的一个参量。源于磁路中存在漏磁。利用永磁体来产生一工作磁场时，需要有永磁体、高导磁软磁体和适当大小的空隙三部分，总称为磁路。永磁体提供磁通，经过软磁体连接后在空隙处产生磁场。磁路中的总磁通量是守恒的，但在空隙处的磁通密度相对降低，因有部分磁通在非空隙处流失，称之为漏磁，导致磁路中的磁阻。
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时间：2023-10-07 14:57
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