怎么看内存的型号
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发布时间：2022-06-27 02:55
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时间：2024-08-19 00:27
内存芯片如按厂家所属地域来分主要有日，韩厂家，欧美及中国（含台湾省）厂家等等。看编号识内存芯片是了解内存的一个好方法，下面就是内存识别资料，供大家参考：
主要的内存芯片厂商的名称既芯片代号如下：
现代电子HYUNDAI：HY〔注：代号〕
三星SAMSUNG：KM或M NBM：AAA 西门子SIEMENS：HYB
高士达LG-SEMICON：GM HITSUBISHI：M5M 富士通FUJITSU：MB
摩托罗拉MOTOROLA：MCM MATSUSHITA：MN OKI：MSM
美凯龙MICRON：MT 德州仪器TMS：TI 东芝TOSHIBA：TD或TC
日立HITACHI：HM STI：TM 日电NEC：uPD
IBM：BM NPNX：NN
一.日本产系列：
主要厂家有Hitachi〔日立〕，Toshiba〔东芝〕，NEC〔日电〕，Mitsubishi〔三菱〕等等，日产晶圆的特点是品质不错，价格稍高。
1.HITACHI〔日立〕。
日立内存质量不错，许多PC100的皆可稳上133MHz。它的稳定性好，做工精细，日立内存芯片的编号有HITACHI HM521XXXXXCTTA60或B60,区别是A60的CL是2，B60的CL是3。市面上B60的多，但完全可超133MHz外频，
HITACHI的SDRAM芯片上的标识为以下格式：
HM 52 XX XX 5 X X TT-XX
HM代表是日立的产品，52是SDRAM，如为51则为EDO DRAM。
第1、2个X代表容量。
第3、4个X表示数据位宽，40、80、16分别代表4位、8位、16位。
第5个X表示是第几个版本的内核，现在至少已经排到"F"了。
第6个X如果是字母"L"就是低功耗。空白则为普通。
TT为TSOII封装。
最后XX代表速度：
75：7.5ns〔133MHz〕
80：8ns〔125MHz〕
A60：10ns〔PC-100 CL2或3〕
B60：10ns〔PC-100 CL3〕
例如：HM5264805F-B60，是64Mbit，8位输出，100MHZ时CL是3。
2.NEC。
NEC的SDRAM芯片上的标识通常为以下格式：
μPD45 XX X X XG5-AXX X-XXX
μPD4代表是NEC的产品。
"5"代表是SDRAM。
第1、2个X代表容量。
第3或4个X表示数据位宽，4、8、16、32分别代表4位、8位、16位、32位。当数据位宽为16位和32位时，使用两位，即占用第4个X。由于NEC的标识的长度固定，这会对下面的数字造成影响。
第4或5个X代表Bank。"3"或"4"代表4个Bank，在16位和32位时代表2个Bank；"2"代表2个Bank。
第5个X，如为"1"代表LVTTL。如为16位和32位的芯片，第5个X已被占用，则第5个X有双重含义，如"1"代表2个Bank和LVTTL，"3"代表4个Bank和LVTTL。
G5为TSOPII封装。
-A后的XX是代表速度：
80：8ns〔125MHz〕
10：10ns〔PC100 CL 3〕
10B：10ns较10慢，Tac为7，不完全符合PC100规范。
12：12ns
70：〔PC133〕
75：〔PC133〕
速度后的X如果是字母"L"就是低功耗，空白则为普通。
-XXX：第一人X通常为数字，如64Mbit芯片上常为准，16Mbit芯片上常为7，规律不详。其后的XX的"JF"、"JH"、"NF"等。估计与封装外型有关："NF"对应: 44-pinTSOP-II；"JF"对应54-pin TSOPII；"JH"对应86-pin TSOP-II。
例如：μPD4564841G5-A80-9JF，64Mbit，8位，4个Bank，在CL=3时可工作在125MHZ下，在100MHZ时CL可设为2。
3.TOSHIBA东芝。
TOSHIBA的芯片上的标识为以下格式：
TC59S XX XX X FT X-XX
TC代表是东芝的产品。
59代表是SDRAM系列。其后的S为普通SDRAM，R为Rambus SDRAM，W为DDR SDRAM。
第1、2个X代表容量。64为64Mbit，M7为128Mbit。
第3、4个X表示数据位宽，04、08、16、32分别代表4位、8位、16位和32位。
第5个X估计是用来表示内核的版本。目前常见的为"B"。
FT为TSOPII封装。
FT后如果有字母"L"就是低功耗，空白则为普通。
最后的XX是代表速度：
75：7.5ns〔133MHz〕
80：8ns〔125MHz〕
10：10ns〔100MHz CL=3〕
例如：TC59S6408BFTL-80，64Mbit，8位，可正常工作在125MHz，且为低功耗型号。
二.韩国产系列：
韩国现在的SEC三星和HY（现代，它还将LGS给兼并了）占据了世界内存产量的多半份额，韩国产晶圆的特点是质量比较稳定，价格也较合理。
1.SEC〔Samsung Electronics〕三星。
三星的SDRAM芯片的标识为以下格式：
KM4 XX S XX 0 X X XT-G/FX
KM代表是三星的产品。
三星的SDRAM产品KM后均为4，后面的"S"代表普通的SDRAM，如为"H"，则为DDR SDRAM。
"S"前两个XX表示数据位宽，4、8、16、32分别代表4位、8位、16位和32位。
三星的容量需要自己计算一下。方法是用"S"后的X乘S前的数字，得到的结果即为容量。
"0"后的第一个X代表由几个Bank构成。2为2个Bank，3为难个Bank。
"0"后的第2个X，代表interface，1为SSTL，0为LVTTL。
"0"后的第3个X与版本有关，如B、C等，但每个字母下又有各个版本，在表面上并不能看得出来。
"T"为TSOP封装。
速度前的"G"和"F"的区别在自刷新时的电流，"F"需要的电流较"G"小，相当于一般的低功耗版。
"G/F"后的X代表速度：
7：7ns〔143MHz〕
8：8ns〔125MHz〕
H：10ns〔PC100 CL2或3〕
L：10ns〔PC100 CL3〕
10：10ns〔100MHz〕
例如：KM416S4031BT-GH，是64Mbit〔16*4〕，16，4个Bank，在100MHZ时CL=2。
三星公布的标准PC133芯片：
Unbuffered型：KMM3 xx s xxxx BT/BTS/ATS-GA
Registered型：KMM3 90 s xxxx BTI/ATI-GA
2.HYUNDAI现代
现在国内常见的有HY57V65XXXXATC 10和HY57V651XXXXXATC10。现代的HY PC 100 SDRAM的编号应是ATC 10或BTC，没有A的或B的，就不是PC 100内存。经测试，发现HY编号为ATC10的SDRAM上133MHz时相当困难。而编号ATC8的上133MHz也不行，但可超到124MHz。编号BTC的SDRAM上133MHz很稳定。66841XT75为PC133的，66841ET7K为PC100的。
现代的SDRAM芯片上的标识为以下格式：
HY 5X X XXX XX X X X X XX -XX
HY代表是现代的产品。
5X表示芯片类型，57为一般的SDRAM，5D为DDR SDRAM。
第2个X代表工作电压，空白为5V，"V"为3.3V, "U"为2.5V。
第3-5个X代表容量和刷新速度，分别如下：
16：16Mbits，4K Ref。
64：64Mbits，8K Ref。
65：64Mbits，4K Ref。
128：128Mbits，8K Ref。
129：128Mbits，4K Ref。
256：256Mbits，16K Ref。
257：256Mbits，8K Ref。
第6、7个X代表芯片输出的数据位宽，40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位。
第8个X代表内存芯片内部由几个Bank组成，1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank。是2的幂次关系。
第9个X一般为0，代表LVTTL〔Low Voltage TTL〕接口。
第10个X可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新。
第11个X如为"L"则代表低功耗的芯片，如为空白则为普通芯片。
第12、13个X代表封装形式，分别如下：
JC：400mil SOJ
TC：400mil TSOP-II
TD：13mm TSOP-II
TG：16mm TSOP-II
最后几位为速度：
7：7ns〔143MHz〕
8：8ns〔125MHz〕
10p：10ns〔PC-100 CL2或3〕
10s：10ns〔PC-100 CL3〕
10：10ns〔100MHz〕
12：12ns〔83MHz〕
15：15ns〔66MHz〕
例如：常见的HY57V658010CTC-10s，HY是现代的芯片，57说明是SDRAM，65是64Mhbit和4K refresh cycles/64ms，下来的8是8位输出，10是2个Bank，C是第4个版本的内核，TC是400mil TSOP-Ⅱ封装，10S代表CL=3的PC-100。需要指出的是-10K不是PC100的产品，-7J和-7K也不是PC133的产品。-8的性能要好于-7K和-7J。
3.LGS〔LG Semicon〕
LGs早已被HY现代纳入麾下，但还是有必要单独介绍下它。LG现有的内存条编号后缀为7J、7K、10K、8。其中10K是非PC100规格的，速度极慢。7J和7K才是PC 100的SDRAM，7J和7K工作模式的速度参数不同，LGs 7J编号在1073222，LGs 7K编号是1072222，两者的主要区别是第三个反应速度的参数上。而8才是真正的8ns PC 100内存，但国内没有出现。现在市面上还有很多10K的LGs内存，速度比7J和7K差很远，但因外型相差不大，所以不少奸商把10K冒充7J或7K的来卖。而7J和7K经过测试比较，7K比7J的更优秀，上133MHz时7K比7J更稳定，但7K的市面上不多见。
LGS的SDRAM芯片上的标识为以下格式：
GM72V XX XX X 1 X X T XX
GM代表为LGS的产品。
72代表SDRAM。
第1、2个X代表容量，类似现代，16为16Mbits，66为64Mbits。
第3、4个X表示数据位宽，一般为4、8、16等，不补0。
第5个X代表Bank，2对应2个Bank，4对应4个Bank，和现代的不一样，属于直接对应。
第6个X表示是第几人版本的内核，现在至少已经排到"E"了。
第7个X如果是字母"L"，就是低功耗，空白则为普通。
"T"为常见的TSOPⅡ封装，现在还有一种BLP封装出现，为"I"。
最后的XX自然是代表速度：
7.5：7.5ns〔133MHz〕
8：8ns〔125MHz〕
7K：10ns〔PC-100 CL2或3〕
7J：10ns〔100MHz〕
10K：10ns〔100MHz〕
12：12ns〔83MHz〕
15：15ns〔66MHz〕
例如：GM72V661641CT7K，这是64Mbit，16位输出，4个Bank，刚达到PC-100的要求（CL=3）SDRAM。
三.欧美生产系列及其它：
在欧美内存厂商中Micron，IBM，SIEMENS西门子等都较有名气。另外中国台湾省的厂家这几年来进步也很神速，如茂矽、台晶、华邦、台积电和联华等厂家在生产规模和技术上已经赶韩超美了，国产的晶圆的质量不错，价格也很便宜。
1.Micron。
Micron的SDRAM芯片上标识为以下格式：
MT48 XX XX M XX AX TG-XX X
MT代表是Micron的产品。
48代表是SDRAM系列。其后的XX如为LC则为普通SDRAM。46V为DDR SDRAM。
Mricron的容量需要自己计算一下。方法是将XX M XX中的M前后的数字相乘，得到的结果即为容量。
M后的XX表示数据位宽，4、8、16、32分别代表4位、8位、16位和32位。
AX代表Write Recovery〔Twr〕，如A2表示Twr=2clk。
TG为TSOPII封装。LG为TGFP封装。
最后的XX是代表速度：
7：7ns〔143MHz〕
75：7.5ns〔133MHz〕
8X：8ns〔125MHz〕
其中X为A~E，字母越后性能越好。按CL-TRCD-TRP的表示方法A~E分别为：3-3-3、3-2-3、3-2-2、2-2-2、2-2-2。
10：10ns〔100MHz CL3〕
速度后如有L则为低耗。
2.IBM。
PC电脑的开山鼻祖实力当然不俗。IBM的PC100内存有XXXXXXXCT3B260。
IBM的SDRAM芯片上的标识为以下格式：
IBM03 XX XX X XT3X ---XXX
IBM代表为IBM的产品。
IBM的SDRAM产品均为03。
第1、2个X代表容量。
第3、4个X表示数据位宽，为40、80、16等。
一般的封装形式为TSOP。对4位数据位宽的型号，如第4个X不为0而为B，则为TSOJ封装。
第5个X意义不详，16Mbit上多为9，64Mbit上多为4。
第6个X为P为低功耗，C为普通。
第7个X表示内核的版本。
最后的XXX代表速度：
68： 6.8ns〔147MHz〕
75A: 7.5NS〔133MHz〕
260或222：10ns〔PC100 CL2或3〕
360或322：10ns〔PC100 CL3〕在B版的64Mbit芯片中，260和360在CL=3时的标定速度为：135MHZ。
10：10NS〔100MHz〕
例如：IBM0316809CT3D-10，16Mbit，8位，不符合PC-100规范。
3.SIEMENS〔西门子〕
芯片标识：HYB39S xx xx0 x T x -xx
前两个xx为容量,最后两位xx是速度：
6—166MHz
7—143MHz
7.5—133MHz
8—125MHz
8B—100MHz〔CL3〕
10—100MHz〔PC66规格
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