何为静态存储器、动态存储器，它们的区别是什么？

发布网友发布时间：2022-03-31 11:58

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懂视网时间：2022-03-31 16:19

静态存储器和动态存储器的区别是：

　　静态RAM（SRAM）速度非常快，只要电源存在内容就不会自动消失。其基本存储电路为6个MOS管组成1位，因此集成度相对较低，功耗也较大。一般高速缓冲存储器用它组成。动态RAM（DRAM）的内容在10-3或l0-6秒之后自动消失，因此必须周期性的在内容消失之前进行刷新。由于它的基本存储电路由一个晶体管及一个电容组成，因此它的集成度高，成本较低，另外耗电也少，但它需要一个额外的刷新电路。DRAM运行速度较慢，SRAM比DRAM要快2到5倍，一般，PC机的标准存储器都采用DRAM组成。

　　静态存储器依靠双稳态触发器的两个稳定状态保存信息。每个双稳态电路存储一位二进制代码0或1，一块存储芯片上包含许多个这样的双稳态电路。双稳态电路是有源器件，需要电源才能工作，只要电源正常，就能长期稳定的保存信息，所以称为静态存储器。如果断电，信息将会丢失，属于挥发性存储器，或称易失性。

　　静态存储器在指定功能或应用软件之间共享的存储器。如果一个或两个应用软件占用了所有存储器空间，此时将无法为其他应用软件分配存储器空间。例如，日历、短信息和电话簿（或通讯录）可能会共享移动设备中的动态存储器。一般计算机系统使用的随机存取内存(RAM)可分动态随机存取内存(DRAM)与静态随机存取内存(SRAM)两种，差异在于DRAM需要由存储器控制电路按一定周期对存储器刷新，才能维系数据保存，SRAM的数据则不需要刷新过程，在上电期间，数据不会丢失。

热心网友时间：2022-03-31 13:27

静态存储器与动态存储器主要性能比较如下表: 静态和动态存储器芯片特性比较 SRAM DRAM 存储信息触发器电容破坏性读出非是需要刷新不要需要送行列地址同时送分两次送运行速度快慢集成度低高发热量大小存储成本高低动态存储器的定期刷新:在不进行读写操作时,DRAM 存储器的各单元处于断电状态,由于漏电的存在,保存在电容CS 上的电荷会慢慢地漏掉,为此必须定时予以补充,称为刷新操作
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