三极管的信号放大设计原理
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发布时间：2022-04-23 08:34
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时间：2022-06-18 11:15
VCC为直流电，Vi为小信号输入，R1，R2是电压偏置，设置静态工作点，R3是将Ic转变为电压，使Vout输出，C1和C3是隔直流输入，R4是负反馈电阻，C2是使负反馈存在而又不影响放大倍数的，就是让小信号交流电通过而不经过电阻。同时Ube电压基本为0.7V（多数三极管导通压降值）。仿真时，使用那个三极管问题不大，只是一些极限参数和放大倍数不一样。
交流信号在基极输入，会在基极直流电压的基础上增加或减少一个电压值△V，这个△V会使Vbe有所变化，而最终导致Ib电流有所增加或者减少。
Ib变化，所以Ic跟着变化，因为Ic=βIb，而且电流一直是由上向下的。
基极输入的是交流信号是电压信号，所以你看的结果当然也是电压信号（集电极输出），而由R3来实现电流Ic转变为电压的作用。注意你放大的是电流和电压，但在集电极看的是电压不是电流。
共射：分析三极管小信号模型时，输入信号增大时，Ube的电压随之增大（直流+信号），Ic增大随之增大，发射极是接着Rc的，所以Rc的电压增大，而Uout=VCC-Vr3，VCC不变，Vr3增大，Vout自然减少，而Vr3减少，Vout自然增大，这就是共射反相的原因。
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时间：2022-06-18 11:16
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时间：2022-06-18 11:16
1、发射区向基区发射电子
电源Ub经过电阻Rb加在发射结上，发射结正偏，发射区的多数载流子(自由电子）不断地越过发射结进入基区，形成发射极电流Ie。同时基区多数载流子也向发射区扩散，但由于多数载流子浓度远低于发射区载流子浓度，可以不考虑这个电流，因此可以认为发射结主要是电子流。
2、基区中电子的扩散与复合
电子进入基区后，先在靠近发射结的附近密集，渐渐形成电子浓度差，在浓度差的作用下，促使电子流在基区中向集电结扩散，被集电结电场拉入集电区形成集电极电流Ic。也有很小一部分电子（因为基区很薄）与基区的空穴复合，扩散的电子流与复合电子流之比例决定了三极管的放大能力。
3、集电区收集电子
由于集电结外加反向电压很大，这个反向电压产生的电场力将阻止集电区电子向基区扩散，同时将扩散到集电结附近的电子拉入集电区从而形成集电极主电流Icn。另外集电区的少数载流子（空穴）也会产生漂移运动，流向基区形成反向饱和电流，用Icbo来表示，其数值很小，但对温度却异常敏感。
三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。
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时间：2022-06-18 11:17
