1920mos管参数
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发布时间:2022-12-10 16:05
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时间:2024-10-09 20:56
MOS管主要参数】
1.
开启电压 VT开启电压 (又称阈值电压) :使得源极 S 和漏极 D 之间开始形成导电沟道所需的栅极电压;·标准的 N 沟道 MOS 管, VT 约为 3~6V ; ·通过工艺上的改进,可以使 MOS 管的 VT 值降到 2~3V。
2.
直流输入 电阻 RGS即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比·这一特性有时以流过栅极的栅流表示·MOS 管的 RGS 可以很容易地超过 1010Ω。
3.
漏源击穿电压 BVDS在 VGS=0 (增强型)的条件下 ,在增加漏源电压过程中使 ID 开始剧增时的