请教:磁控溅射镀锗膜、二氧化硅膜的工艺参数是多少?作为参考!

发布网友发布时间：2022-04-23 22:34

共2个回答

热心网友时间：2023-09-08 22:01

你先做硅靶的分压
先通一定量的AR，达到你工艺需要的真空度以后，(一般0.3-0.5Pa）在通入O2，我不知道你设备的大小，要是设备大的话以10为单位，10、20、30.....一点点的加，要是小的话，就以2为单位一点点的加2、4、6、8、.....（氩气的进气量不变，只改变氧气的进气量），做好记录，每增加一次氧气就记录一次，氧气到一定量后靶电压会骤降，(会降很多,此时靶电压会很低,在加氧气就没有意义了,氧气过量靶会中毒,所以要控制好)此时靶电压的最低点应该就是你要的纯氧化硅了。
这只是工艺的过程,具体需要什么参数,还要你自己去做实验....(设备不同,参数不同)追问我想要点参数，到时候根据参数调，你那边有么？

追答设备不一样，参数差距很大，
你按照这种方法很快就能找到你要的参数。
还有问题加Q2451824968

热心网友时间：2023-09-08 22:01

QQ，不对，加不了。