igbt背面工艺主要影响什么性能

发布网友发布时间：2022-12-27 08:15

共2个回答

热心网友时间：2023-10-19 11:13

工艺采用真空退火炉，炉内加热升温采用热电偶的控制方式，其步骤是：1.将单晶片垂直放置在石英舟上，将石英舟推进到真空室内，关闭真空炉门；2.抽取真空，当真空度达到2～8Pa时，停止抽真空，然后通过炉内热电偶对真空室进行加热升温，温度升至范围控制在400℃-600℃之间；3.当炉内温度降至常温时，充入N2，打开真空炉门，将石英舟从真空室内拉出，取下经真空退火完成杂质激活的单晶片。采用真空退火工艺实现了成本低，操作方便，生产效率高，安全可靠。同时采用本工艺，隔绝了背面金属与大气的接触，阻止金属的氧化，有效抑制了封装时存在的金属脱落问题，经检测产品电性能参数良好。

热心网友时间：2023-10-19 11:13

背面是指哪？散热基板吗？