硅栅工艺减小阈值电压的方法
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发布时间：2022-12-27 02:34
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时间：2023-05-13 01:53
低阈值电压MOS管
本文涉及一种有效的实现低阈值电压MOS器件的方法。
比如，现在需要一种工艺能提供两种不同阈值电压Vt的NMOS管，通常的做法 是在工艺过程中对某一阈值电压Vt的MOS管的沟道区域进行一次额外离子注入，这样，就需多制一层版，多进行一次光刻，如还需要不同阈值电压Vt的PM0S，则还需额外的制版和光刻，所需成本和制造周期均增加了。
针对现有技术中的不足提出一种有效的实现低阈值电压MOS器件的方法，其通过改变原有器件的层次和结构，可在不增加制版和光刻的前提下实现低阈值电压Vt MOS管的制作。
方法采用了如下技术方案：
有效的实现低阈值电压MOS器件的方法，其特征在于，该方法为在形成MOS 器件的过程中，修改MOS管版图结构，令MOS器件只使用N阱或P阱的注入作为沟道的掺杂， 降低沟道浓度，实现MOS管阈值电压Vt的降低。
进一步地讲，该方法具体为对于NMOS或PMOS器件，在需要低阈值电压Vt器件处，去除MOS管中gate区域的 Nplus或Pplus，P注入和N+的注入或N注入和P+的注入均只在器件源极与漏极进行，沟 道区域只有P-或N-的注入。
与现有技术相比，本发明具有下列优点该实现低阈值电压MOS器件的方法操作 简单，容易实现，可降低低阈值电压MOS器件的制造成本，并缩短生产周期。
具体实施例方式
在典型的CMOS工艺中，NMOS的结构，在该器件中，主要的注入有3 种p-注入，P型注入以及N+注入；P-注入用以形成P阱，同时也是MOS管B端。
它使用版图中的Pwell层制版。P-决定了器件衬底的电荷浓度，亦是沟道浓度。P型注入用以调节沟道电荷浓度，作调节器件阈值电压Vt用。
使用版图中的Nplus 版。该层增大了沟道的电荷浓度，使沟道形成反型更难，上调了阈值电压vt。N+注入用以形成MOS器件源漏。也使用版图中的Nplus版。
由于此次注入在多晶 硅栅之后，被硅栅所阻挡，沟道区域没有注入，因此它与器件的阈值电压Vt无关。
由上所知，在形成上述器件的过程中，Nplus版使用了 2次，一次作为调节沟道离 子浓度的注入，一次作为形成器件源极与漏极的注入。
通过改变了该器件的结构，在改变沟道浓度的同时，保持了原有器件源端 和漏端
