Nand Flash 中ECC算法是它自带的还是要自已加上去

有软件实现，有硬件生成，但是驱动中要自己把对应的ecc准备好。上传mtd会帮你处理。你只需要负责底层驱动实现好对应接口接口。详见：【详解】如何编写Linux下Nand Flash驱动 (此处不给贴地址，请自己用google搜标题，即可找到地址)

随着AI技术的飞速发展，如今市面上涌现了许多实用易操作的AI生成工具1、简介：AiPPT: 这款AI工具智能理解用户输入的主题，提供“AI智能生成”和“导入本地大纲”的选项，生成的PPT内容丰富多样，可自由编辑和添加元素，图表类型包括柱状图、条形...

因为NAND FLASH的数据可靠性问题一般使用NAND FLASH都需要对其数据进行ECC校验。一般的用法是在写入NAND FLASH时在主数据区内写入正常数据，而住数据区数据的ECC校验码则写入Spare区。将住数据区数据读出时Spare区的ECC码也必须一起读出以便进行ECC校验及纠错。基本上若是读出数据后发现ECC校验失败则当前块必...

ECC确实是写入 spare area， ECC的值是根据写入的数据计算出来的。读出数据以后用数据计算ECC值然后与从spare area读出的ECC值进行比较，如果不对则说明数据有问题。然后根据你具体使用多少位的ECC来判断错误了多少位，如果在ECC的纠错范围内数据是可以恢复出来的，超出了ECC的纠错范围则数据只能是unrecover...

SSD的写入主要分为顺序读写和随机读写，而SSD运用中不断增加的坏块，随机的出现在SSD的NANDFLASH中，这使得SSD读写时容易出现错误，和增加读写的等待时间。为了减小坏块、错误数据对NANDFLASH/SSD的影响。主控需要对NANDFLASH里的坏块进行判定、校正错误数据、对坏块进行管理。于是主控加入了BBM坏块管理和E...

，一个比特位会发生反转或被报告反转了。一位的变化可能不很明显，但是如果发生在一个关键文件上，这个小小的故障可能导致系统停机。如果只是报告有问题，多读几次就可能解决了。当然，如果这个位真的改变了，就必须采用错误探测/错误更正(EDC/ECC)算法。位反转的问题更多见于NAND闪存，...

2、存储单元关系的不同：两种FLASH具有相同的存储单元，工作原理也一样，但NAND型FLASH各存储单元之间是串联的，而NOR型FLASH各单元之间是并联的。为了对全部的存储单元有效管理，必须对存储单元进行统一编址。3、擦除操作的不同：NAND FLASH执行擦除操作是十分简单的，而NOR FLASH则要求在进行擦除前先要...

NAND Flash跟普通的Flash结构不一样，由于NAND Flash自身的特性，偶尔会出现位反转的情况，所以在烧录的时候要注意下ECC。位反转是指原先Nand Flash中的某个位，变化了，即要么从1变成0了，要么从0变成1了。小容量的NandFlash一般不容易产生位反转，如1Gbit、2Gbit的；一般大容量的会比较容易产生，如...

坏块的话写进去的东西肯定是不对的。一般情况下如果你手上的系统支持NAND运行，那么相关的读取数据代码中肯定有跳坏块处理的，你可以仔细看下你手上的代码

所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除 操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前 先要将目标块内所有的位都写为0。三、用法 一般NOR FLASH 用做内存片，或者叫做数据缓冲。而NAND FLASH则一般用来做存储数据用。比方说，U盘.MP3等。

代码可以在其中运行。使用时间：Nand Flash是Nor Flash的十倍，Nand Flash是100万次擦写，Nor是10万次。数据可靠性：Flash器件内部都是按照位操作，所以容易造成位交换，Nand Flash发生的次数比Nor要多，因此Nand Flash通过ECC算法来保证数据的可靠性。 下一篇预告: Nand Flash硬件接口与驱动实现 ...