SiC MOSFET的驱动电路设计应该注意哪些问题?
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发布时间：2022-04-23 09:33
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时间：2023-10-09 15:42
基本半导体BASiC设计生产的SiC MOSFET与国际主流产品特性相近，需要驱动传输延时小，上升下降沿速度快，功率管的驱动电压选择要合适，布线要注意电源抗干扰能力强.
SiC MOSFET的驱动电路设计应该注意哪些问题?
基本半导体BASiC设计生产的SiC MOSFET与国际主流产品特性相近，需要驱动传输延时小，上升下降沿速度快，功率管的驱动电压选择要合适，布线要注意电源抗干扰能力强.
SiC MOSFET用于电机驱动的优势
SiC MOSFET为电机驱动系统带来的革新在于：降低能耗，推动绿色可持续；提升功率密度，实现更经济的设计；紧凑的结构，节省空间并减轻散热压力；以及更长的使用寿命和更低的故障风险，确保制造商能提供更长久的保修保障。随着SiC技术的不断发展，其在电机驱动领域的应用前景将更加广阔。
如何正确理解SiC MOSFET的静态和动态特性
电容是SiC-MOSFET动态性能的关键。CoolSiC™的米勒电容Crss较小，有助于抑制寄生导通，简化驱动电路。图4说明了电容对开关损耗的影响，尤其是关断能量几乎与负载电流无关，开通能量则与电流线性相关。短路特性方面，CoolSiC™ MOSFET的短路波形与IGBT不同，峰值电流和电流上升速度有所差异。3脚...
SiCMOSFET用于电机驱动的优势
10. SiC MOSFET为电机驱动系统带来的革新在于：降低能耗，推动绿色可持续；提升功率密度，实现更经济的设计；紧凑的结构，节省空间并减轻散热压力；以及更长的使用寿命和更低的故障风险，确保制造商能提供更长久的保修保障。11. 随着SiC技术的不断发展，其在电机驱动领域的应用前景将更加广阔。
