为什么 Si MOSFET的驱动电压是正负15V,而SiC MOSFET的驱动电压范围为-2或者-5到+15

大多数Si管子手册正负压限制绝对值相等比如+20和-20，而SiC通常有更小的负压限制，比如这个SIC管子，GS正压最大值25而负压-10。实验中为了可靠关断，可以加一定的负压（实际实验中还会有开通关断瞬时振荡），但负压如果超过了最大值（这个管子是-10伏）可能会损坏管子。因此一般加负压时留一定的裕量。

mosfet实际常用的正驱动电压是Vgs一般为12~15V，低于20V，负栅压不超过5V。因为正驱动电压不能太大，具体还要根据实际情况来，如果是Si mosfet建议15V以上，Sic mosfet驱动电压一般要高于Si的。具体可以根据相应的规格书规格进行选择，不要盲目，还有导通时，驱动电路应能提供足够大的充电电流使MOSFET栅源...

1. 防止误触发：与硅（Si）MOSFET相比，SiC MOSFET的门氧化层电容更小，因此更易受到干扰，如电源的中电平干扰或高频噪声等。这些干扰可能导致误触发。负压驱动能够有效防止此类误触发现象的发生。2. 提升阈值电压：在高温和高电压条件下，SiC MOSFET的阈值电压较低可能会导致漏源电压（Vds）的降低，进而...

1. 防止误动作：SiC MOSFET和常规的Si（硅）MOSFET相比，其门氧化层电容更小，导致更容易受到干扰，如电源器的中电平间歇性破裂或其他高频干扰等，可能会导致误动作。采用负压驱动可以有效防止这种误动作。2. 提高阈值电压：当SiC MOSFET在高温和高电压条件下工作时，若阈值电压较低，可能会导致漏源电压...

这两个标准都受到牵引系统电压水平的影响。800 V的高系统电压，而不是一般的400 V电压，可以让电池快速充电(高功率充电，超快速充电)，电缆截面不变。4. SiC-MOSFET的应用可以满足高电压平台下高开关频率和高压摆率(dv/dt)的高效率优势。高袜饥橘开关频率降低了电机的谐波损耗。因此，碳化硅是高系统...

简单来说，电机在运行时会产生热量和电流，如果绝缘不良，可能会导致漏电或者短路，这样不仅会损坏电机，还可能引发火灾等安全事故。因此，通过绝缘测试，可以检查电机内部的绝缘材料是否正常，确保它能安全地工作。这就像给电机做一个“健康检查”，确保它能够长期稳定地运转。

首先，我们将SiC器件与传统Si器件进行性能对比，特别是在驱动电路设计中，SiC MOSFET如罗姆的SCT3060AL，以其高耐压、低阻抗和高频特性，有望将损耗降低45%-60%，效率提升1.1%-2.5%。同时，SiC器件在温升、电磁兼容(EMC)和驱动可靠性方面也展现出显著优势。核心选型与设计</ 在控制器中，我们选择SiC...

因此,在高开关频率下,SiC-MOSFET比Si-IGBT效率更高。 车载充电器当中也有Sic的应用,这是由用于电源转换的不同组件组成的复杂系统,这些系统中集成了的组件包括:半导体(如二极管、MOSFET)、无源元件(如电感器和电容器)和具有相应转换比的变压器。变压器以所需的电压为电池充电,此外也用于在充电过程中对高压电池进行电...

独立的开通和关断引脚，便于设置不同的门极电阻。具备有源关断和短路钳位功能，确保系统稳定性。电隔离无芯变压器栅极驱动器增强性能和可靠性。通过UL1577认证，适用多种高电压器件，如SiC和Si MOSFET。EVAL-1ED3142MU12F-SIC评估板不仅包含两个高性能驱动器和SiC MOSFET，还为用户提供了学习SiC驱动技术的...

在电机应用中，IGBT、Si MOSFET和SiC MOSFET都有其适用范围。IGBT在低电流范围内的导通损耗优于Si MOSFET，但在高电流时则表现出色，而SiC MOSFET在高频开关损耗方面有优势，但成本和应用场合限制了其普及。对于大多数电机应用，IGBT因其性能和成本平衡而成为主流选择，包括内置FRD的IGBT分立器件和智能功率...