发布网友 发布时间:2022-05-05 00:50
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热心网友 时间:2022-06-27 23:25
晶体缺陷理论是关于晶体缺陷的基本规律及结构敏感性能的理论解释,是金属物理基础理论的另一支柱。金属的许多重要技术性能是结构敏感的,即受到晶体缺陷的制约。实用金属材料的塑性与强度就是一个例子。20世纪20年代起,对于金属单晶的塑性形变开展了系统的研究。到30年代中期,G.泰勒与J.伯格斯等奠定了晶体位错理论的基础。50年代位错得到有力的实验观测证实,随即开展了大量的研究工作,澄清了金属塑性形变的微观机制和强化效应的物理本质。点缺陷的基础研究澄清了扩散与辐照损伤的机制。晶粒间界(即晶界)结构对金属的性能特别是力学性能有甚大的影响。小角度的晶界可归结为位错的行列与网络,已经基本搞清楚。如今重点在于澄清大角度晶界的结构。晶体缺陷理论还可以推广到不均匀的电磁介质,如朗道与栗夫席兹的铁磁介质的磁畴理论和阿布里科索夫的Ⅱ类超导体的磁通列阵理论,都得到了实验的证实。通常的晶体缺陷对磁畴壁和磁通列阵都会钉扎或产生其他相互作用。前者影响到铁磁体的磁化曲线;后者影响到Ⅱ类超导体的磁化曲线和临界电流。这是硬铁磁体和硬超导体具有强烈的结构敏感性的物理根源。