发布网友 发布时间:2022-05-05 07:45
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热心网友 时间:2023-10-16 04:19
摘要四种典型全控型器件的比较一、对四种典型全控型器件的介绍1、门极可关断晶闸管(GTO)1)GTO的结构与工作原理芯片的实际图形GTO结构的纵断面GTO结构的纵断面图形符号GTO的内部结构和电气图形符号2)工作原理:设计α2较大,使晶体管V2控制灵敏。导通时α1+α2=1.05更接近1,导通时接近临界饱和,有利门极控制关断,但导通时管压降增大。多元集咨询记录 · 回答于2021-10-13写出4种全控型电力电子器件的结构,特点,电气符号及优缺点四种典型全控型器件的比较一、对四种典型全控型器件的介绍1、门极可关断晶闸管(GTO)1)GTO的结构与工作原理芯片的实际图形GTO结构的纵断面GTO结构的纵断面图形符号GTO的内部结构和电气图形符号2)工作原理:设计α2较大,使晶体管V2控制灵敏。导通时α1+α2=1.05更接近1,导通时接近临界饱和,有利门极控制关断,但导通时管压降增大。多元集在电力电子技术中,GTR主要工作在开关状态。晶体管通常连接成共发射极电路,GTR通常工作在正偏(I b>0)时大电流导通;反偏(I b<0)时处于截止状态。因此,给GTR的基吸施加幅度足够大的脉冲驱动信号,它将工作于导通和截止的开关状态。电力MOSFET采取两次扩散工艺,并将漏极D移到芯片的另一侧表面上,使从漏极到源极的电流垂直于芯片表面流过,这样有利于减小芯片面积和提高电流密度。全控型器件:通过控制信号既可以控制其导通,又可以控制其关断的电力电子器件被称为全控型器件,又称为自关断器件。种典型全控型器件:只在汽车点火装置和电视机行扫描电路中进行试用。自70年代中期开始,GTO的研制取得突破,相继出世了1300V/600A、2500V/1000A、4500V/2400A的产品,目前已达9kV/25kA/800Hz及6Hz/6kA/1kHz的水平。(2)大功率晶体管(GTR)GTR是一种电流控制的双极双结电力电子器件,产生于本世纪70年代,其门极可关断晶闸管(Gate-Turn-Off Thyristor—GTO),电力晶体管(Giant Transistor-GTO),电力场效应晶体管(Power MOSFET),绝缘栅双极。热心网友 时间:2023-10-16 04:19
摘要四种典型全控型器件的比较一、对四种典型全控型器件的介绍1、门极可关断晶闸管(GTO)1)GTO的结构与工作原理芯片的实际图形GTO结构的纵断面GTO结构的纵断面图形符号GTO的内部结构和电气图形符号2)工作原理:设计α2较大,使晶体管V2控制灵敏。导通时α1+α2=1.05更接近1,导通时接近临界饱和,有利门极控制关断,但导通时管压降增大。多元集咨询记录 · 回答于2021-10-13写出4种全控型电力电子器件的结构,特点,电气符号及优缺点四种典型全控型器件的比较一、对四种典型全控型器件的介绍1、门极可关断晶闸管(GTO)1)GTO的结构与工作原理芯片的实际图形GTO结构的纵断面GTO结构的纵断面图形符号GTO的内部结构和电气图形符号2)工作原理:设计α2较大,使晶体管V2控制灵敏。导通时α1+α2=1.05更接近1,导通时接近临界饱和,有利门极控制关断,但导通时管压降增大。多元集在电力电子技术中,GTR主要工作在开关状态。晶体管通常连接成共发射极电路,GTR通常工作在正偏(I b>0)时大电流导通;反偏(I b<0)时处于截止状态。因此,给GTR的基吸施加幅度足够大的脉冲驱动信号,它将工作于导通和截止的开关状态。电力MOSFET采取两次扩散工艺,并将漏极D移到芯片的另一侧表面上,使从漏极到源极的电流垂直于芯片表面流过,这样有利于减小芯片面积和提高电流密度。全控型器件:通过控制信号既可以控制其导通,又可以控制其关断的电力电子器件被称为全控型器件,又称为自关断器件。种典型全控型器件:只在汽车点火装置和电视机行扫描电路中进行试用。自70年代中期开始,GTO的研制取得突破,相继出世了1300V/600A、2500V/1000A、4500V/2400A的产品,目前已达9kV/25kA/800Hz及6Hz/6kA/1kHz的水平。(2)大功率晶体管(GTR)GTR是一种电流控制的双极双结电力电子器件,产生于本世纪70年代,其门极可关断晶闸管(Gate-Turn-Off Thyristor—GTO),电力晶体管(Giant Transistor-GTO),电力场效应晶体管(Power MOSFET),绝缘栅双极。