固态硬盘存储0和1采用的物理表示方法是什么?
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发布时间：2022-05-06 09:36
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时间：2022-06-29 06:50
固态硬盘中0和1采用的物理表示方法是电压阈值的判定，以此来确定存储的数据是1还是0。
1、固态硬盘（SSD）中，存储单元结构分别有三种，分别是SLC(Single Level Cell 单层单元)、MLC(Multi-Level Cell 多层单元)、TLC(Triple Level Cell 三层单元)。
2、SLC(Single Level Cell 单层单元),就是在每个存储单元里存储 1bit 的数据，存储的数据是0还是1是基于电压阀值的判定。
3、SLC对于 NAND Flash 的写入(编程)，就是控制 Control Gate 去充电，使得浮置栅极存储的电荷够多，超过4V，存储单元就表示 0(已编程)，如果没有充电或者电压阀值低于4V，就表示 1(已擦除)。
4、MLC(Multi-Level Cell 多层单元)， 就是每个存储单元里存储 2bit 的数据，也是基于电压阀值的判定，
5、MLC当充入的电荷不足3.5V时，就代表”11”，当充入的电荷在3.5V和4.0V之间，则代表”10”，当充入的电荷在4V和5.5V之间，则表示”01”，当充入的电荷在5.5V以上，则表示”00”。
6、TLC(Triple Level Cell 三层单元)， 比较复杂，因为每个存储单元里存储 3bit 的数据，所以它的电压阈值的分界点就更细致，导致的结果也就每个存储单元的可靠性也更低。
扩展资料：
SLC = Single-Level Cell ，即1bit/cell，速度快寿命长，价格贵（约MLC的3倍以上的价格），约10万次擦写寿命。
MLC = Multi-Level Cell，即2bit/cell，速度一般寿命一般，价格一般，约3000—10000次擦写寿命。
TLC = Trinary-Level Cell，即3bit/cell，也有Flash厂家叫8LC，速度慢寿命短，价格便宜，约500次擦写寿命。
参考资料来源:百度百科-固态硬盘
参考资料来源:中国硬盘基地-ssd固态硬盘的构造和原理你知道多少？
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时间：2022-06-29 06:51
是用电压来表示的。
SLC（Single Level Cell单层单元），就是在每个存储单元里存储1bit的数据，存储的数据是0还是1是基于电压阀值的判定。
对于NAND Flash的写入（编程），就是控制ControlGate去充电（对Control Gate加压），使得浮置栅极存储的电荷够多，超过4V，存储单元就表示0（已编程），如果没有充电或者电压阀值低于4V，就表示1（已擦除）。
扩展资料：
磨损平衡是确保闪存的每个块被写入的次数相等的一种机制。
通常情况下，在NAND块里的数据更新频度是不同的：有些会经常更新，有些则不常更新。很明显，那些经常更新的数据所占用的块会被快速的磨损掉，而不常更新的数据占用的块磨损就小得多。
为了解决这个问题，需要让每个块的编程（擦写）次数尽可能保持一致：这就是需要对每个页的读取/编程操作进行监测，在最乐观的情况下，这个技术会让全盘的颗粒物理磨损程度相同并同时报废。
参考资料来源：百度百科-固态硬盘
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时间：2022-06-29 06:51
