13005三极管的详细参数？106
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发布时间：2023-10-22 14:25
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时间：2024-12-13 16:06
MJE13005详细参数有：
集电极-基极最高反向耐压VCBO：700V
集电极-发射极最高反向耐压VCEO：400V
发射极-基极最高反向耐压VEBO：9V
集电极最大允许电流ICM：5A
集电极最大耗散功率PCM：75W
最高工作结温TJM：150℃
贮存温度TSTG：-65~150℃
集电极-基极截止电流ICBO：100μA (VCB=700V)
扩展资料：
三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。
三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。
参考资料：百度百科-三极管
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时间：2024-12-13 16:07
13005三极管参数：
扩展资料
结构类型：
晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把正块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种，
从三个区引出相应的电极，分别为基极b发射极e和集电极c。
发射区和基区之间的PN结叫发射结，集电区和基区之间的PN结叫集电结。基区很薄，而发射区较厚，杂质浓度大，PNP型三极管发射区"发射"的是空穴，其移动方向与电流方向一致，故发射极箭头向里。
NPN型三极管发射区"发射"的是自由电子，其移动方向与电流方向相反，故发射极箭头向外。发射极箭头向外。发射极箭头指向也是PN结在正向电压下的导通方向。硅晶体三极管和锗晶体三极管都有PNP型和NPN型两种类型。
三极管的封装形式和管脚识别
常用三极管的封装形式有金属封装和塑料封装两大类，引脚的排列方式具有一定的规律，
底视图位置放置，使三个引脚构成等腰三角形的顶点上，从左向右依次为e b c；对于中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己，三个引脚朝下放置，则从左到右依次为e b c。
国内各种类型的晶体三极管有许多种，管脚的排列不尽相同，在使用中不确定管脚排列的三极管，必须进行测量确定各管脚正确的位置，或查找晶体管使用手册，明确三极管的特性及相应的技术参数和资料。
参考资料：百度百科-三极管
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时间：2024-12-13 16:07
13005三极管广泛用于照明，开关电源，充电器及汽车电子中节能灯中13005作开关振荡用，一般用两只13005组成。
三极管参数如下：
集电极-基极最高反向耐压VCBO：700V
集电极-发射极最高反向耐压VCEO：400V
发射极-基极最高反向耐压VEBO：9V
最高工作结温TJM：150℃
贮存温度TSTG:-65~150℃
集电极基极截止电流ICBO：100μA（VCB=700V）集电极最大允许电流ICM：5A
集电极最大耗散功率PCM：75W
功率：1.25W
拓展资料：
三极管，全称应为半导体三极管，是一种控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。
参考资料：
三极管_百度百科
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时间：2024-12-13 16:08
13005是NPN型高反压开关三极管。
MJE13005详细参数有：
集电极-基极最高反向耐压VCBO：700V
集电极-发射极最高反向耐压VCEO：400V
发射极-基极最高反向耐压VEBO：9V
集电极最大允许电流ICM：5A
集电极最大耗散功率PCM：75W
最高工作结温TJM：150℃
贮存温度TSTG：-65~150℃
集电极-基极截止电流ICBO：100μA (VCB=700V)
其他主要电气参数：直流电流增益（Vce=5V，Ic=1000mA），10（最小值）~40（典型值），集电结饱和压降（IC=2000mA，IB=500 mA）0.6V。
扩展资料：
晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把正块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种，
从三个区引出相应的电极，分别为基极b发射极e和集电极c。
发射区和基区之间的PN结叫发射结，集电区和基区之间的PN结叫集电结。基区很薄，而发射区较厚，杂质浓度大，PNP型三极管发射区"发射"的是空穴，其移动方向与电流方向一致，故发射极箭头向里。
NPN型三极管发射区"发射"的是自由电子，其移动方向与电流方向相反，故发射极箭头向外。发射极箭头向外。发射极箭头指向也是PN结在正向电压下的导通方向。硅晶体三极管和锗晶体三极管都有PNP型和NPN型两种类型。
参考资料：百度百科—三极管
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时间：2024-12-13 16:09
13005是NPN型高反压开关三极管。
主要参数：
VCBO：700V ；VCEO：400V；VEBO：9V；ICM：5A；PCM：75W。
双极型大功率晶体极限参数：
1、集电结最大允许耗散功率1.5W（25℃下）。
2、集电结反向耐压700V。
3、最大集电极电流4A。
4、允许结温范围（贮存和工作状态）-55℃~+150℃。
5、其他主要电气参数：直流电流增益（Vce=5V，Ic=1000mA），10（最小值）~40（典型值），集电结饱和压降（IC=2000mA，IB=500 mA）0.6V。
扩展资料
（1）首先是由于三极管BE结的非线性(相当于一个二极管)，基极电流必须在输入电压大到一定程度后才能产生(对于硅管，常取0.7v)。当基极与发射极之间的电压小于0.7v时，基极电流就可以认为是0。但实际中要放大的信号往往远比0.7v要小，如果不加偏置的话，这么小的信号就不足以引起基极电流的改变(因为小于0.7v时，基极电流都是0)。
（2）如果我们事先在三极管的基极上加上一个合适的电流(叫做偏置电流，上图中那个电阻Rb就是用来提供这个电流的，所以它被叫做基极偏置电阻)，那么当一个小信号跟这个偏置电流叠加在一起时，小信号就会导致基极电流的变化，而基极电流的变化，就会被放大并在集电极上输出。
（3）发射区和基区之间的PN结叫发射结，集电区和基区之间的PN结叫集电结。基区很薄，而发射区较厚，杂质浓度大，PNP型三极管发射区"发射"的是空穴，其移动方向与电流方向一致，故发射极箭头向里；NPN型三极管发射区"发射"的是自由电子，其移动方向与电流方向相反，故发射极箭头向外。发射极箭头向外。发射极箭头指向也是PN结在正向电压下的导通方向。硅晶体三极管和锗晶体三极管都有PNP型和NPN型两种类型。
参考资料：百度百科：三极管放大电路基本原理
