如下图MOS管的sense电阻是哪个?
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发布时间：2022-04-30 14:48
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热心网友
时间：2022-06-25 15:51
图没画全吧，s必须接地或通过采样电阻接地才能构成回路，除非这个ic特殊，另外12脚也没有画接法。
热心网友
时间：2022-06-25 15:52
接在cs脚的那三个电阻
如下图MOS管的sense电阻是哪个?
图没画全吧，s必须接地或通过采样电阻接地才能构成回路，除非这个ic特殊，另外12脚也没有画接法。
...反馈到PWM 的sense有什么用啊,,,请教大师指点.
0.62欧姆电阻是取样电阻，通过采样两端电压来对主回路进行电流检测，主要起过流保护作用。PWM控制电路检测到电流过大时将使PWM减小或停止输出，触发保护电路并自锁，防止过载时烧坏MOS管。对补充问题的回答:很可能是测量方法导致的测量误差。1、底下的电阻有负反馈作用，由于阻值很小，不宜在回路中串接电...
MOS管为什么Rdson偏大
揭秘MOS管Rdson偏大的神秘原因：在电子设计中，MOS管的Rdson（漏源导通态电阻）是一项关键参数，它在开启状态下决定着器件的效率。今天，我将深入探讨影响Rdson偏大的因素，希望能为你的理解提供一些启示。首先，测试Rdson的方法并不复杂：通过在栅极施加适当的电压Vgs，让MOS管导通，然后在漏极和源极间...
测试CPU主供电、核心电压、问题
标示处4 为CPU主供电测试位置，一般目前市场常见主板测出实际电压范围在(1.0-1.6V左右为正常 如下图：
mos管内部短路电压变化
MOS管（金属氧化物半导体场效应晶体管）在内部短路时，主要表现为源极和漏极间的电阻降低，电压几乎为0。这种现象通常是由于超过MOS管额定压力、温度或电流等工作条件引起的。MOS管内部短路原因可能包括以下几种：负压过大，过压击穿，过流导热，过热融化，恶劣环境等。这些因素都可能损伤MOS管内部结构，...
在数电中使用的扩展方法能否用于TTL门电路?
2. 直流输入电阻RGS ·即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比 ·这一特性有时以流过栅极的栅流表示·MOS管的RGS可以很容易地超过1010Ω。3. 漏源击穿电压BVDS ·在VGS=0(增强型)的条件下 ,在增加漏源电压过程中使ID开始剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS·ID剧增的原因有下列两个方面:(1)漏极附近耗尽层...
在MOS管的D,S极加电阻是做什么用
这个电阻影响G极电流，即其大小影响MOS管开关速度。同时，此电阻阻值也与MOS管振铃现象有关。再具体的，你可以查下MOS管驱动电路的资料
MOS管选型需关注的重要参数
在选择MOS管时，有几个关键参数需格外关注。首先，P型/N型的区分决定着其在电路中的应用方向；VGS和VDS则是控制管子导通和断开的电压，直接影响电路的性能；Rdson是导通电阻，它决定了功率损耗；电流能力则是负载工作时的决定因素；封装类型影响着安装和散热；ESD和IDM对于静电防护和脉冲电流承载能力至关...
MOS管的Rdon 怎么理解?
通态电阻嘛。晶体管本身就是一个非线性器件，在电路中会呈现一定的电阻效应。而这个电阻的阻值是非线性变化的，根据通过电流大小不同而不同。Rd(on)是指在当ugs为常数条件下，Uds与Id的导数。一般来说，Ugs越大，这个数字会更小一些（ugs控制沟道宽度，宽度越大，自然通过电流能力越强，电阻越小）
如下图,NMOS管的工作状态是怎样的?
这是个自给偏置的电路结构，所以栅极电压确定了，那么源极电压也就确定了；另外BSS169为N沟道耗尽型场效应管，在 Ugs=0V，即具有导通能力，也就是说，Ug=5V时，Us=5V。
