请问谁有50A 1200 V IGBT驱动芯片接线图。

FGA25N120不是三极管。它是一款可以工作在高电压大功率（1200V、50A）下的N沟道IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。

IKW15N120T2 15A,1200V IKW25N120T2 25A,1200V IKW40N120T2 40A,1200V IGA03N120H2 3A,1200V IGB01N120H2 1A,1200V IGB03N120H2 3A,1200V IGD01N120H2 1A,1200V IGP01N120H2 1A,1200V IGP03N120H2 3A,1200V IGW03N120H2 3A,1200V IKA03N120H2 ...

9月12日，一名技术人员展示装有IGBT芯片的模块。9月12日，由中国北车集团所属的上海北车永电电子科技有限公司设计制造的3300V/50A IGBT（绝缘栅双极型晶体管）芯片及其配套3300V/100A FRD芯片在西安通过专家鉴定，宣布研制成功。IGBT芯片是自动控制和功率变换的关键核心部件。中国北车的IGBT器件封装业务...

SiC BJT可提供市场上最低的传导损耗，室温时，每平方厘米Ron小于2.2毫欧姆。SiC BJT可提供最小的总损耗，包括驱动器损耗。SiC BJT是有史以来最高效的1200V 功率转换开关，SiC BJT实现了更高的开关频率，其传导和开关损耗较IGBT低(30-50%)，从而能够在相同尺寸的系统中实现高达40%的输出功率提升。2K...

2u :一个模块2个IGBT 6U:一个模块6个IGBT

600V/650V-15A 600V/650V-30A 600V/650V-40A 600V/650V-50A 600V/650V-60A 600V/650V-70A 600V/650V-80A 1200V-15A 1200V-25A 1200V-35A 1200V-50A 1200V-60A 1200V-80A 1200v-100A 海飞乐技术，台湾工研院IGBT芯片，内地封装，质量保证，价格优惠。

600V/650V的IGBT单管规格 600V/650V-15A 600V/650V-30A 600V/650V-40A 600V/650V-50A 600V/650V-60A 600V/650V-70A 600V/650V-80A 1200V的IGBT单管规格 1200V-15A 1200V-25A 1200V-35A 1200V-50A 1200V-60A 1200V-80A 1200v-100A ...

1200V，25A，125W(工作环境100℃) 1200V，40A，310W(工作环境25℃) 此管常用作电磁炉功率管，叫IGBT管。一款可以工作在高电压大功率（1200V、50A）下的N沟道IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式...

4，IPM模块：即智能功率模块，集成门级驱动及众多保护功能（过热保护，过压，过流，欠压保护等）的IGBT模块 IGBT单管：分立IGBT，封装较模块小，电流通常在50A以下，常见有TO247 TO3P等封装。IGBT模块：即模块化封装的IGBT芯片。常见的有1in1,2in1,6in1等。PIM模块：集成整流桥+制动单元+三相逆变 IP...

我有更好的答案推荐于2016-05-16 20:29:19 最佳答案 IGBT参数中的最大电流一般指的正常工作的有效值。IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(绝缘栅双极型晶体管)的缩写,IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件,其输入极为MOSFET,输出极为PNP晶体管,它融和了这两种器件的优点,既具有MOSFET器件驱动...