数据在内存中的储存过程

发布网友发布时间：2022-04-26 15:14

共3个回答

热心网友时间：2022-05-05 08:37

内存卡属于闪存flash类型的产品而闪存是以单晶体管作为二进制信号的存储单元，其结构与普通的半导体晶体管非常类似，区别在于闪存的晶体管加入了“浮动栅（floating gate）”和“控制栅（Control gate）”。浮动栅用于贮存电子，表面被一层硅氧化物绝缘体所包覆，并通过电容与控制栅相耦合。当负电子在控制栅的作用下被注入到浮动栅中时，NAND单晶体管的存储状态就由1变成0；而当负电子从浮动栅中移走后，存储状态就由0变成1。包覆在浮动栅表面的绝缘体的作用就是将内部的电子“困住”，达到保存数据的目的。如果要写入数据，就必须将浮动栅中的负电子全部移走，令目标存储区域都处于1状态，只有遇到数据0时才发生写入动作，但这个过程需要耗费较长的时间，导致不管是NAND还是NOR型闪存，其写入速度总是慢于数据读取的速度。

热心网友时间：2022-05-05 09:55

数据在存放到内存里的时候，有两种存放方式，即：Big Endian 和 Little Endian
这两个存取方式决定了内存存放数据的原则是高高低低原则还是高低低高原则。
高高低低--内存中的高位存放数据的高位，内存中的低位存放数据的低位（Little Endian ）
高低低高--内存中的高位存放数据的低位，内存中的低位存放数据的高位（Big Endian ）
比如：我有一个数据，是0xA5A1，它在存放到内存中是怎样存放的呢？因为在我们平时的书写中，A5是高位，A1在低位，存放到内存中的时候，A1存放在0x4000这个位置，而A5存放在0x4001这个位置，高位存放在内存的高地址中，低位存放在低地址中，这种方式就是Little Endian 。

热心网友时间：2022-05-05 11:30

电脑内存临时存储数据。