梁骏吾院士逝世,老先生为我国半导体材料领域做出过哪些重大贡献?

发布网友发布时间：2023-08-04 11:04

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热心网友时间：2024-12-03 00:56

引言：梁骏吾院士逝世，老先生为我国半导体材料领域做出了最大的贡献就是为我国研究出如何制备硅单晶体这一个重要的难题，因为在当时，在国外已经做出世界上第一块集成电路的时候，半导体技术在国外已经非常领先了，并且他们在这个领域也发明了很多的创新技术，但是新中国还没有掌握集成电路所需要的最关键的一个材料，那就是硅单晶体。

于是在1960年，老先生选择从苏联回到祖国，当时我国正处于半导体刚成立的时候，于是老先生带领着他自己的团队日夜攻坚，寻求能够解决中国所缺少的硅单晶体材料的这一个重要的难题，老先生在没有任何基础之上攻坚克难，最终为中国研究出了这一个关键材料，从而对中国半导体事业和半导体的领域做出了巨大大的推进。

老先生不仅仅为中国解决了硅单晶体这一个重要的难题，而且在集成电路以及其他的半导体领域方面都做出了很大的创新和改进。因为自然界中的硅还有很多杂志，所以说老先生将硅进行进一步提纯重安，保证了拥有较高的电阻率。同时老先生也在我国许创新领域和科研领域上面都做出了很大的贡献，不仅仅对于我们的祖国的科研具有很大的推进作用，而且对于我国的许多创新性领域也提出了许多自己的想法，他还培养了许多优秀的学生，给中国这个半导体领域创造了更多的创新型人才和研究型人才，所以说老先生对于中国半导体料的贡献和这个领域上面的促进是前所未有的。

让我们一起为老先生致敬，一起为老先生送行，相信老先生在江后来看到我们祖国日益昌盛，日益繁荣的时候，一定会更加安心。

热心网友时间：2024-12-03 00:56

梁骏吾院士从事半导体材料科学研究工作六十多年，是我国早期半导体硅材料的奠基人。上世纪60年代解决了高纯区熔硅的关键技术；1964年制备出室温激光器用 GaAs 液相外延材料；1979年研制成功为大规模集成电路用的无位错、无旋涡、低微缺陷、低碳、可控氧量的优质硅区熔单晶；80年代首创了掺氮中子嬗变硅单晶，解决了硅片的完整性和均匀性的问题；90年代初研究 MOCVD 生长超晶格量子阱材料，在晶体完整性、电学性能和超晶格结构控制方面，将中国超晶格量子阱材料推进到实用水平；他还在太阳电池用多晶硅的研究和产业化等方面发挥着积极作用。

热心网友时间：2024-12-03 00:56

老先生为我国半导体材料领域做出了最大的贡献就是为我国研究出如何制备硅单晶体这一个重要的难题，因为在当时，在国外已经做出世界上第一块集成电路的时候，半导体技术在国外已经非常领先了，并且他们在这个领域也发明了很多的创新技术，但是新中国还没有掌握集成电路所需要的最关键的一个材料，那就是硅单晶体。