闩锁效应原理

发布网友发布时间：2023-07-06 20:34

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热心网友时间：2024-11-30 14:59

闩锁效应是由NMOS的有源区、P衬底、N阱、PMOS的有源区构成的n-p-n-p结构产生的，当其中一个三极管正偏时，就会构成正反馈形成闩锁。避免闩锁的方法就是要减小衬底和N阱的寄生电阻，使寄生的三极管不会处于正偏状态。

以上四元件构成可控硅（SCR）电路，当无外界干扰未引起触发时，两个BJT处于截止状态，集电极电流是C-B的反向漏电流构成，电流增益非常小，此时Latch up不会产生。当其中一个BJT的集电极电流受外部干扰突然增加到一定值时，会反馈至另一个BJT，从而使两个BJT因触发而导通（通常情况下是PNP比较容易触发起来），VDD至GND（VSS）间形成低抗通路。之后就算外界干扰消失，由于两三极管之间形成正反馈，还是会有电源和地之间的漏电，即锁定状态。Latch up由此而产生。