...芯片,IGBT耐压值为600V,耐流值为150A,频率为10kHz,求指教啊,顺便告 ...

IGBT的耐压能力，通常称为集电极-发射极电压(V_CE)，是一个关键参数。这一耐压值会根据具体的IGBT型号和设计应用而有所不同。常见的n通道IGBT的耐压值范围如下：低压IGBT：耐压通常在600V以下，适用于较低电压的应用。中压IGBT：耐压范围约为600V至1200V，常用于工业控制和电源转换设备中。高压IGBT：...

GTO一般最高只能做到几百Hz,但功率较大，已达到3000A、4500V的容量。GTR目前其额定值已达1800V/800A/2kHz、1400v/600A/5kHz、600V/3A/100kHz。IGBT的频率一般不会超过100KHz,但高频性能比GTR好。MOSFET 的频率理论上可以做到1MHz（1000KHz）,应用范围比较多的频率段应该为几百KHz左右。所以排序...

可以用其它品牌代替，关键是参数能代替，除了耐压值，通流能力，还有触发电压等。

IR2110具有独立的低端和高端输入通道;悬浮电源采用自举电路,其高端工作电压可达600V,在15V下静态功耗仅116mW;输出的电源端(脚3Vcc,即功率器件的栅极驱动电压)电压范围10～20V;逻辑电源电压范围(脚9VDD)3.3～20V,可方便地与TTL或CMOS电平相匹配,而且逻辑电源地和功率地之间允许有±5V的偏移量;工作频率高,可达100kH...

参考下图，用10Ω/1W的电阻

按照你这个原始电路,如果不加磁芯,可以计算出来原线圈电感量只有可怜的微亨级,微亨级的电感一般用于数十兆赫以上的振荡电路,而2SC8050三极管共发射极截止频率为150MHz,工作在几十兆赫时,其高频β值必然降低到只有几倍,这得需要多大的正反馈电流才能满足振荡?如果将振荡频率降低到几百kHz,β值倒是有保障了,但这么...

RBV2506/25A/600V K15T120此管是带阻的,可用H20T120代,或用其它带阻的IGBT代均可。比如40N150,25G120等都可使用G40N150D就可以看看这些如何: SGW25N120D K25T120 G25N120D FGA25N120 MGY25N120D IRG30B120 G18N120BNAF SIGC25T120C SG25N120 参数如下: (1) SGW25N120---西门子公司出品,耐压1200V,电流...

2.IGBT:电动车的「心脏」 重组后的比亚迪半导体,其主要业务覆盖功率半导体、智能控制 IC、智能传感器和光电半导体的研发、生产和销售,而且拥有包含芯片设计、晶圆制造、封装测试和下游应用在内的系统化能力。 在比亚迪半导体的众多产品中,最为核心的莫过于 车规级 IGBT 芯片 和 模块。 IGBT(Insulated Gate Bipolar ...

20A,600V就是20n的电流600v的电压 N通道IGBT*集电极－发射极击穿电压：600V*集电极电流：45A*集电极脉冲电流:300A*耗散功 极性:NPN Drain-SourceVoltage漏源电压Vds:600VGate-SourceVoltage栅源电压Vgs:±30V ContinuousDrainCurrent漏极电流ldTc=25℃:20AContinuousDrainCurrent漏极电流ldTc=100°℃:12....