能否用四探针法测量n/n+外延片及p/p+外延片外延层的电阻率?
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发布时间:2022-04-26 03:11
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热心网友
时间:2022-06-20 09:35
1.能否用四探针法测量n/n+外延片及p/p+外延片外延层的电阻率?
答:不能用四探针法测量同型外延片。
2.能否用四探针法测量n/p外延片外延层的电阻率?
答:能用四探针法测量异型外延片。
3.为什么测量单晶样品电阻率时测试平面要求为毛面,而测试扩散片扩散层薄层电阻时测试面可为镜面?
答:毛面较能保证金属探针与样品接触良好,所以测量单晶样品电阻率时测试平面要求为毛面。"...测试扩散片扩散层薄层电阻时测试面可为镜面..."其实当扩散片的测试面也为毛面时,对测量更好,但做扩散前已经将表面抛光成了镜面,并且扩散之后的扩散层的厚度较小,故不适合再研磨或吹沙,所以只能测镜面。为了能使测量更准,就对探针的压力和针尖有不同“毛面”的要求......
(供参考)追问回答很专业,非常感谢。能否具体说明一下为什么四探针无法测试同型外延片?同型外延片与异型外延片相比只是测试厚度更厚了,为什么就不能测呢?
追答答:
不是无法测试,而是测不准。
同型外延指:在P型材料上外延一层P型材料,或在N型材料上外延一层N型材料。
这样外延层与衬底之间没有“隔绝的界限(空间电荷区不明显)”,这里不是“测试厚度”的问题。
这时测出来的结果包含了衬底的贡献,就不算准确了。
(抱歉两个问题一起作答。供参考)