可控硅、MOSFET、IGBT各有哪三个极，这三者谁的功率可以做最大？谁的频率可以做最高？

可控硅能承受的功率最大，mosfet是三者中工作频率最高的，理论上可以做到1MHz（1000KHz）,应用范围比较多的频率段应该为几百KHz左右，但只适用于10KW以下的电力电子装置 参考资料：《电力电子技术》西安交通大学

可控硅了解不多，它只能是导通和截止，不像MOS和IGBT会有放大状态。价格应该可控硅最贵，IGBT次之，MOSFET最便宜。

与IGBT相比，MOSFET，即金属氧化物半导体场效应晶体管，具有较高的开关速度和较低的功耗，适用于需要高频操作的电路中。MOSFET不完全等同于MOS（金属氧化物半导体），MOS是描述一类器件的通用术语，而MOSFET是具体的一种类型，具有栅极、源极和漏极三个主要端子。在高压大功率应用中，AMB（活性金属钎焊）陶...

其中属于双极器件的有：SCR、GTO、GTR以及IGBT；单极器件的是功率MOSFET。SCR是可控硅整流器，也叫晶闸管，主要用在类似于二极管的领域，其与二极管不同的是，正向工作时，可通过门极电流来触发导通。而不像是二极管过了导通电压就能直接导通，但其关断不能通过门极关断，而是将电流减小至某个值以下，或...

1、大功率整流用可控硅。2、IGBT与可控硅相比各有优点，前者是可控制开-关元件，后者大多数是只能控制开，不能控制关（现在有可关断可控硅了）。受元件制造工艺和工作原理等影响，前者可在较高频率下工作（最高25KHz左右），后者大多在5KHz以内，这个是前者比后者的优点。3、前者相比的缺点是成本高...

但相比之下，可控硅的应用范围相对狭窄，但因为这些器件中，可控硅是最廉价的，工艺成熟，可做成高压、大电流，所以在整流、大功率的同步逆变、调功等装置中还是有较大优势。IGBT

IGBT是一种全控型电压驱动半导体开关，开通和关断可控制；可控硅需要电流脉冲驱动开通，一旦开通，通过门极无法关断，需要主电路电流关断或很小才能关断。具体可以查看有关书籍或在网上搜索。

MOSFET，全称为功率场效应晶体管，拥有源极（S）、漏极（D）和栅极（G）三个基本极。它的主要优势在于热稳定性优良，能够承受较大的安全工作区。然而，MOSFET的缺点在于击穿电压较低，且工作电流容量相对较小。相比之下，IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种更为先进的功率器件，它是在MOSFET和GTR（功率晶...

多的这个P层因内有载流子，有电导调制作用，可以使IGBT在跟高电压和电流下，有很低的压降，因此IGBT可以做到很高电压（目前最大6500V），但由于载流子存在，IGBT关断是电流会拖尾，关断速度会减低；MOS就是MOSFET的简称了；IGBT和MOS是全控器件，是电压型驱动，即通过控制栅极电压来开通或关断器件；可控...

GTO(门级可关断晶闸管)：全控型器件 电压、电流容量大，适用于大功率场合，具有电导调制效应，其通流能力很强 电流关断增益很小，关断时门极负脉冲电流大，开关速度低，驱动功率大，驱动电路复杂，开关频率低 GTR（电力晶体管）耐高压，电流大开关特性好 mosfet（电力场效应晶体管）驱动电路简单，需要...