CMOS是一种外延生长技术吗

FinFET，全称为 Fin Field-Effect Transistor，中文译为鳍式场效应晶体管，是现代互补金属氧化物半导体（CMOS）晶体管的一种创新形式。与传统平面型晶体管相比，FinFET在设计上更加三维，形状类似于鱼鳍，因此得名。在集成电路制造工艺技术的特征尺寸缩小至22纳米时，短沟道效应变得愈发严重。为了改善传统晶体...

外延(Epitaxy, 简称Epi)工艺是指在单晶衬底上生长一层跟衬底具有相同晶格排列的单晶材料，外延层可以是同质外延层(Si/Si)，也可以是异质外延层(SiGe/Si 或SiC/Si等)；同样实现外延生长也有很多方法，包括分子束外延(MBE)，超高真空化学气相沉积(UHV/CVD)，常压及减压外延(ATM & RP Epi)等等。本文仅...

1.外延片指的是在衬底上生长出的半导体薄膜,薄膜主要由P型，量子阱，N型三个部分构成。现在主流的外延材料是氮化镓(GaN),衬底材料主要有蓝宝石，硅，碳化硅三种，量子阱一般为5个，通常用的生产工艺为金属有机物气相外延(MOCVD)。这是LED产业的核心部分，需要较高的技术以及较大的资金投入(一台MOCVD...

LED外延片是LED内部的晶片生产的原材料，它是在蓝宝石衬底上通过化学气相沉积技术生长出来的一层薄膜。之后在外延片上注入基区和发射区，再通过切割等工艺，就可以形成LED晶片。LED晶片通过封装工艺，才会形成我们看到的LED灯珠。

多晶硅栅工艺的引入，解决了套刻不齐问题，提高了集成度，推动了工艺的进一步发展。尽管多晶硅的电导率低于金属，但这一技术的突破为CMOS工艺的广泛应用打下了基础。CMOS工艺集合了PMOS和NMOS，通过互补对称连接，实现了逻辑运算时两管子同一时间只开一个，有效降低了功耗。然而，CMOS工艺面临闩锁效应的挑战，...

D2I是制作带TSV/TGV互连通孔、集成无源元件（IPD）和微散热流道的硅/玻璃基转接板，表面集成有源器件后三维堆叠；D2W是对已有CMOS晶圆做重布线和TSV互连通孔，表面集成其他有源器件后三维堆叠；W2W是各同类或异类晶圆直接三维堆叠键合集成；异质集成是通过异质材料外延生长或转移实现系统级多功能集成。系统...

硅外延发展的起因是为了提高双极器件和集成电路的性能。外延可以在重掺杂的衬底上生长一层轻掺杂的外延层。这在优化pn结的击穿电压的同时降低了集电极电阻，在适中的电流强度下提高了器件的速度。外延在CMOS集成电路中变得重要起来，因为随着器件尺寸不断缩小，它将闩锁效应降到最低。外延层通常是没有玷污的...

以的方式成长一层Lightly doped Epi-layer，以作为CMOS制程的底材。因此CMOS是直接建立在Lightly doped Epi-layer上，而Heavily doped substrate则作为接地。此可使CMOS中直立式pnp双载子寄生电晶体的电流不易横向地流往寄生的npn电晶体，而流向Heavily doped substrate。因为底材接地，寄生pnp与npn的闭锁(...

沉积一层无掺杂氧化层，保护元件，并进行退火处理。最后，沉积掺杂硼磷的氧化层，进行溅镀和离子刻蚀，完成金属接触和布线结构。薄膜沉积方法主要包括CVD（化学气相沉积）和PVD（物理气相沉积），其中CVD法有外延生长法、HCVD、PECVD等，而PVD法包括溅射法和真空蒸发法。PVD技术适用于制备硬质薄膜，具有高...

CMOS产品是外延片的最大应用领域，并被IC制造商用于不可恢复器件工艺，包括微处理器和逻辑芯片以及存储器应用方面的闪速存储器和DRAM（动态随机存取存储器）。分立半导体用于制造要求具有精密Si特性的元件。“奇异”（exotic）半导体类包含一些特种产品,它们要用非Si材料，其中许多要用化合物半导体材料并入外延...