基于EOS/ESD的集成电路失效分析及模拟验证方法

发布网友发布时间：2024-10-03 10:46

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热心网友时间：2024-12-01 18:12

在电子产品生产领域，EOS（过电压应力）和ESD（静电放电）引发的集成电路失效问题，占据了生产线不良品率的半壁江山，这无疑对产品质量和稳定性构成了巨大挑战。

面对这一难题，广电计量集成电路失效分析实验室通过长期实践，提出了一套针对EOS/ESD失效的综合分析方法。其核心在于通过失效分析和模拟验证，帮助现场工程师和设计者提升生产效率和IC的可靠性。首要任务是区分EOS和ESD导致的失效，这通常通过失效分析手段，观察IC的物理失效现象来进行。ESD的物理失效可能表现为衬底击穿、多晶硅熔融等，而EOS则常见于氧化层和金属层的大面积熔融等迹象。

EOS与ESD之间的区别在于，EOS是长时间持续的高电压或大电流导致的局部过热失效，能量较高，常导致大面积烧毁；而ESD则是瞬间的高电压和大电流，引发的通常是局部的点状失效。区分两者的关键在于失效现象的持续时间和能量强度。

然而，有些情况下，如短脉冲EOS和ESD造成的轻微金属熔融，或在ESD损伤后出现的burnout现象，可能使区分变得困难。这时，模拟实验就显得尤为重要，通过对比测试与实际失效芯片的差异，可以进一步揭示故障源头。

针对EOS/ESD失效问题，建议的分析与改良流程包括：首先，对失效IC进行电性和物理失效分析，初步判断失效模式；其次，进行模拟试验验证耐受等级，并对比分析以确定真因；最后，对高风险区域进行改进，如安装ESD防护设备或使用高频示波器进行监测。

广电计量实验室凭借先进的测试设备和专业的团队，提供全方位的EOS/ESD失效分析和可靠性优化方案，助力提升集成电路的品质与性能。通过科学的分析方法和严谨的验证流程，降低不良率，确保产品的稳定性和可靠性。