lm358drLM358DR参数
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发布时间：2024-10-03 16:14
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时间：2024-11-04 11:30
- **宽度**：4mm
- **长度**：5mm
- **高度**：1.5mm
- **供应商封装**：SOIC N
- **关闭支持**：无
- **典型单电源电压**：涵盖5V、9V、12V、15V、18V、24V、28V等
- **典型双电源电压**：支持±3V、±5V、±9V、±12V、±15V等
- **典型电压增益**：达到100dB
- **安装类型**：表面安装
- **引脚数目**：8个
- **技术**：采用双极技术
- **最大双电源电压**：±16V
- **最大工作温度**：70°C
- **最大电源电流**：1.2mA
- **最大输入偏置电压**：7mV
- **最大输入偏置电流**：0.25μA
- **最小CMRR**：65dB
- **最小PSRR**：65dB
- **最小单电源电压**：3V
- **最小工作温度**：0°C
- **每芯片通路数目**：2个
- **电源类型**：支持单路和双路供电
LM358DR的尺寸设计紧凑，封装为SOIC N，适于表面安装技术。其电压适应范围广泛，包括单电源和双电源配置，电压增益高，非常适合在各种应用中作为放大器使用。在性能参数上，其最大工作温度和最大电源电流等指标确保了在不同环境和负载条件下的稳定运行。此外，低输入偏置电流和高共模抑制比（CMRR）和功率抑制比（PSRR）等特性，使得LM358DR在信号放大过程中能有效抑制噪声和干扰，提供清晰、纯净的输出信号。对于需要高精度和可靠性能的电子系统设计，LM358DR是一款值得考虑的元件。
