MOSFET驱动器特点
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发布时间:2024-10-01 18:11
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时间:2024-10-17 13:12
MOSFET驱动器具有多种特性,其中一项关键功能是欠压闭锁,确保在电源电压不足时设备能自动保护。它的自适应贯通保护功能则可以根据工作条件自动调整,提供高效且安全的运行保障。
驱动器可以将电源电压提升至114V,这对于高电压应用是十分有利的。峰值性能方面,它能提供1.4A的上拉电流到顶端栅极,以及1.75A的上拉电流至底端栅极,确保了强大的驱动能力。
这款驱动器采用耐热增强型8引脚MSOP封装,保证了在高温环境下仍能稳定工作。它支持宽广的VCC电压范围,从4.5V至13.5V,适应各种电源环境。
顶端栅极驱动器配备有1.5Ω的下拉电阻,而底端栅极驱动器则为0.75Ω,这些设计有利于栅极信号的快速传输。在负载为1nF时,顶端栅极的下降时间为5ns,上升时间则为8ns,而底端栅极的相应时间分别为3ns下降和6ns上升,表现出优秀的信号响应速度。
此外,这款驱动器特别适合驱动高压侧和低压侧的N沟道MOSFET,无论是在高压还是低压环境下都能提供高效、稳定的驱动性能。