MRAMDRAM的原理
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发布时间：2024-09-27 16:24
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时间：2024-09-28 02:00
在我们的日常开机体验中，从Windows进度条的滚动到登录桌面，这一系列看似平常的过程其实背后有着内存技术的运作。目前广泛使用的内存，如SDRAM、DDR和DDR II，主要依赖于动态随机存取技术(DRAM)。DRAM内存的一个显著特性是其挥发性，即断电后数据会丢失，这就解释了为何每次开机操作系统都要重新初始化内存。
开机时，操作系统的主要任务就是将系统所需的必要数据写入DRAM内存，这个过程导致了开机等待时间。为保持DRAM内存中的数据，供电刷新是必不可少的。即使在休眠状态下，计算机仍然会消耗电力，只是相比正常运行时减少了一些。
然而，东芝集团在佛罗里达州坦帕市展示了一种革新性的内存技术——磁阻内存(MRAM)，它将可能改变这一现状。与DRAM内存的工作原理大相径庭，DRAM通过测量电容器中的电量来表示“0”和“1”，需要持续供电并定期充电以保持内容。相比之下，MRAM利用两块纳米级铁磁体和非磁金属层的结构存储信息，通过改变磁场方向来控制磁致电阻，从而区分不同的数据状态。
与DRAM不同，MRAM的铁磁体磁性几乎永久存在，这使得它能够无限次重写数据，而且即使断电，其内容也不会丢失，因此它是非挥发性的，即使在电源断开后，其信息依然保持。这种新型内存的出现，预示着未来的电脑可能不再需要每次开机都进行内存初始化，大大缩短了开机等待时间。
扩展资料
MRAM(Magnetic Random Access Memory) 是一种非挥发性的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器（SRAM）的高速读取写入能力，以及动态随机存储器（DRAM）的高集成度，而且基本上可以无限次地重复写入。
