结型场效应晶体管(1)基本概念

发布网友发布时间：2024-09-08 18:40

共1个回答

热心网友时间：2024-09-19 12:23

结型场效应晶体管（Junction Field-Effect Transistor，JFET）是一种三端有源器件，由p-n结构成的栅极(G)、源极(S)和漏极(D)组成，具备放大功能。其工作原理的核心是通过改变栅极电压*沟道的导电性，从而控制输出电流。

在众多JFET类型中，耗尽型JFET（D-JFET）是最常见的，因为在零栅偏压时已存在沟道。相比之下，增强型JFET（E-JFET）在零偏压下无沟道，使用时存在困难，但有时在高速低功耗应用中，E-JFET也有其需求。E-JFET的沟道结构与D-JFET有别，前者掺杂浓度低、厚度小，易于形成耗尽沟道，而后者则相反。

短沟道E-JFET则有所不同，其源极附近的漏极电压能降低势垒，允许形成导电沟道，本质上这类E-JFET相当于静电感应晶体管。与JFET原理相似的还有Schottky栅极场效应晶体管(MESFET)，它以金属-半导体Schottky结替代p-n结作为栅极。

最后，高电子迁移率晶体管(HEMT)与MESFET在结构上有相似之处，但工作原理更接近MOSFET。而MOSFET的衬偏效应，实际上也是JFET功能的一种体现。