合肥长鑫10nm内存工艺的具体技术水平如何?

发布网友 发布时间：2024-09-11 05:59

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热心网友 时间：2024-09-27 22:23

合肥长鑫存储取得显著突破：在中国闪存技术峰会上，合肥长鑫存储副总裁、未来技术评估实验室负责人平尔萱博士强调，已将奇梦达原有的46nm内存工艺技术提升到了10nm级别，这一成就令人瞩目。演讲中，平尔萱博士深入探讨了内存技术的发展、应用以及技术挑战，明确指出了长鑫在内存技术上的自主研发路径。

长鑫的技术根基源于已破产的奇梦达，朱一明董事长在GSA+Memory存储峰会上透露，通过收购奇梦达的技术文件和数据，长鑫投入巨资进行自主研发，目标是实现自主产权的内存芯片。尽管奇梦达的技术停留在46nm阶段，但长鑫借助先进技术将其提升到了新的高度。

然而，平尔萱博士所提到的10nm级别并未给出确切的工艺参数。通常，20nm以下的工艺都可归类为10nm级，但三星在1Xnm后才正式使用10nm标签。据报道，长鑫计划年底量产19nm工艺的DDR4内存芯片，这是否就是平尔萱博士口中的10nm级内存，尚待进一步确认。

不论工艺如何，国内公司能在年底实现10nm级内存的量产，标志着显著的进步，缩小了与国际先进水平的2-3年差距，这在内存芯片领域无疑是一大飞跃。

热心网友 时间：2024-09-27 22:20

合肥长鑫存储取得显著突破：在中国闪存技术峰会上，合肥长鑫存储副总裁、未来技术评估实验室负责人平尔萱博士强调，已将奇梦达原有的46nm内存工艺技术提升到了10nm级别，这一成就令人瞩目。演讲中，平尔萱博士深入探讨了内存技术的发展、应用以及技术挑战，明确指出了长鑫在内存技术上的自主研发路径。

长鑫的技术根基源于已破产的奇梦达，朱一明董事长在GSA+Memory存储峰会上透露，通过收购奇梦达的技术文件和数据，长鑫投入巨资进行自主研发，目标是实现自主产权的内存芯片。尽管奇梦达的技术停留在46nm阶段，但长鑫借助先进技术将其提升到了新的高度。

然而，平尔萱博士所提到的10nm级别并未给出确切的工艺参数。通常，20nm以下的工艺都可归类为10nm级，但三星在1Xnm后才正式使用10nm标签。据报道，长鑫计划年底量产19nm工艺的DDR4内存芯片，这是否就是平尔萱博士口中的10nm级内存，尚待进一步确认。

不论工艺如何，国内公司能在年底实现10nm级内存的量产，标志着显著的进步，缩小了与国际先进水平的2-3年差距，这在内存芯片领域无疑是一大飞跃。