发布网友 发布时间:2024-07-22 12:44
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热心网友 时间:2024-08-08 22:53
截止频率最高的晶体管是亚微米InP基异质结双极晶体管(HBT)。研制成功了一种无微空气桥的亚微米InP基异质结双极晶体管(HBT).发展了小于100nm的发射极侧向腐蚀工艺,实现了亚微米的InP基HBT.发射极宽度的减小有效提高了频率特性,发射极面积为0.8μm×15μm的HBT的电流增益截止频率达到了238GHz。热心网友 时间:2024-08-08 22:54
截止频率最高的晶体管是亚微米InP基异质结双极晶体管(HBT)。研制成功了一种无微空气桥的亚微米InP基异质结双极晶体管(HBT).发展了小于100nm的发射极侧向腐蚀工艺,实现了亚微米的InP基HBT.发射极宽度的减小有效提高了频率特性,发射极面积为0.8μm×15μm的HBT的电流增益截止频率达到了238GHz。热心网友 时间:2024-08-08 22:54
截止频率最高的晶体管是亚微米InP基异质结双极晶体管(HBT)。研制成功了一种无微空气桥的亚微米InP基异质结双极晶体管(HBT).发展了小于100nm的发射极侧向腐蚀工艺,实现了亚微米的InP基HBT.发射极宽度的减小有效提高了频率特性,发射极面积为0.8μm×15μm的HBT的电流增益截止频率达到了238GHz。