氮化物材料的高发光效率是否主要归功于激子复合?
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发布时间：2024-07-16 02:34
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时间：2024-07-17 15:08
在实际应用中，发光二极管和特殊发光器件中，激子发光机制扮演着至关重要的角色。特别是在间接带半导体材料，如低维结构半导体制造的LED中，激子发光跃迁的效应尤为显著。
以氮化物材料为例，如氮化镓，它们能够制造出篮绿色和紫外光的LED。尽管这些材料中缺陷浓度高，但其发光效率却出人意料地高，这得益于局域化激子的存在。它们提供了高复合几率，使得载流子在非辐射复合之前，就已经通过激子复合的方式对发光产生了贡献。
特别地，InGaN/GaN量子阱的高发光效率，被认为与InGaN中的组分分凝以及形成量子点有关。这些量子点进一步强化了激子发光，从而显著提升了LED的性能。这种现象对于理解激子在发光器件中的作用具有重要意义。
扩展资料
在半导体中，如果一个电子从满的价带激发到空的导带上去，则在价带内产生一个空穴，而在导带内产生一个电子，从而形成一个电子-空穴对。空穴带正电，电子带负电，它们之间的库仑吸引互作用在一定的条件下会使它们在空间上束缚在一起，这样形成的复合体称为激子。
