大注入效应(2)大注入效应

发布网友发布时间：2024-09-05 11:31

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热心网友时间：2024-10-27 01:50

大注入效应在半导体器件中表现出多种显著影响。首先，少数载流子对电导的贡献变得尤为重要，导致电导率显著增加，这在双极型晶体管(BJT)中尤为明显，大注入会增加基区的电导，即所谓的Webster效应，从而降低了电流放大系数。

其次，注入的少数载流子分布不均会产生内建电场，类似于掺杂浓度不均匀的效果。这种电场会加速少数载流子的传输，相当于使扩散系数翻倍。对于BJT，这加速了少数载流子穿越基区的过程，有助于提升电流增益和器件的高频性能。

大注入还可能导致发射极电流集边效应，即基极电阻自我偏压现象。这使得发射结的使用面积不能充分利用，影响了大电流工作性能。因此，BJT的发射极设计通常采用复杂的指条形结构，而非简单地增大面积来提高电流。

最后，大注入还引起基区展宽效应，即Kirk效应，这对BJT的增益、频率和速度等关键性能产生直接影响。发射极电流集边效应会加剧基区展宽效应，因此需要在设计时予以考虑。