半导体碳化硅(SIC)晶圆(Wafer)切割(划片)方法的详解;

发布网友发布时间：2024-09-29 19:36

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热心网友时间：2024-10-01 17:42

半导体碳化硅（SIC）晶圆切割技术因其材料特性而颇具挑战性。碳化硅的高硬度（莫氏硬度9.2）和脆性使得传统工艺如金刚石刀片切割成本高昂，切割效率低，且可能导致材料损失和边缘缺陷。激光切割技术的引入，如金刚石线切割和激光烧蚀切割，虽然有其局限性，如激光烧蚀切割的低效率和热影响，但激光隐形切割（如激光隐切和冷切割）因其无切口、高精度和低材料损失而成为主流，特别是超快激光器（皮秒、飞秒）的应用，如Siltectra的冷切割技术，能显著提升切割效率和晶圆质量。例如，KABRA技术通过内部改质层实现高效切割，而Disco的冷切割技术通过超短脉冲激光降低热效应，减少材料损失。

热激光分离（TLS）切割则通过快速加热和冷却产生张应力来分离晶圆，具有高效和经济性。水导激光切割，虽然受限于设备技术，但其微射流特性在切割质量上表现出色，但对大尺寸晶圆的切割仍存在挑战。相比之下，砂浆切割技术由于效率低、污染严重，正被激光技术取代。未来，随着晶圆尺寸的增大，激光隐形切割，尤其是其高精度和低损耗特性，将成为碳化硅晶圆切割的主要发展方向，为功率器件制造带来更高效和高质量的解决方案。