模拟电路,大神求解

发布网友发布时间：2024-09-29 13:00

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热心网友时间：2024-09-29 13:58

这些都是非常基础的知识，我可以告诉你答案，但是建议你要认真看看书，把相应的知道掌握成自己的知识，像这样的知识部别人，对自己的学习是非常有害的。

1、C√，P表示空穴为主的半导体，N表示电子为主的半导体，空穴是由元素微量3价元素掺杂在四价的物质中形成的。
2、B√，
3、A、B、C，注意这道题出的有问题，反过来问的时候就会发现问题的错误之处了：问共发射极放大电路能放大电流吗？回答一定是能，共发射极放大电路能放大电压吗？回答是能。共发射级放大电路能即放大电流也放大电压吗？回答是能。而题目应该是单选题却出了多个正确答案。所以题目有问题。
4、D√，利用的是反向击穿特性，在体器件中，击穿不是损坏的意思，而是指电压超过结势垒电压后产生的反向电流急剧增加。只有在高电压大电流把PN结破坏了才是损坏，叫作“二次击穿”。
5、B、D，这道题出的也有问题，只要发射结电压不在区，并且输入信号　不能让发射进入导通区，晶体管就工作在截止区。作为硅基晶体管，只要信号电压加偏置电压之和小于0.6V就算工作在截止区，不一定非要反偏置，正偏置达不到放大区也叫截止。所以集电结一定是反偏置，发射结则不一定反偏或正偏。
6、A√，基极电压－发射极电压＞集电极电压－发射极电压，所以基极电压＞集电极电压。
7、A√，共基极放大电路的输出电流＝输入电流×β/(1＋β)＜输入电流，所以没有电流放大倍数。

这是什么地方的题啊，好像不是正规学校的题，太多错误了，8题虽然没载全，但前一句话就看出又有错误。

热心网友时间：2024-09-29 13:53