三星20nm 8GB DDR4内存已经开始量产,128GB还会远吗?

发布网友发布时间：2024-09-26 04:04

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热心网友时间：2024-10-04 10:38

三星引领内存市场新潮流：20nm 8Gb DDR4内存开始量产

在内存容量日益提升的今天，64GB和128GB的内存模块显得尤为罕见。然而，作为全球顶尖的半导体供应商，三星并未止步于此。三星宣布已经开始大规模生产两个创新内存模块：8GB DDR4内存芯片和32GB内存模块，这标志着业界最先进技术水平的突破。

8GB DDR4 DRAM相当于1GB存储，通过20nm制造工艺，缩小了体积，提高了密度。以往，三星4GB芯片最多只能组合成64GB，但引入3D TSV硅穿孔封装技术后，8GB DDR4也能轻松拓展到128GB的容量，技术革新可见一斑。

三星新推出的20nm 8GB DDR4内存以其卓越的性能、高密度和低能耗特性，主要针对企业用户。预计不久后，我们将看到企业大规模采购，用于主板或内存PCB板的生产。

相比之下，新32GB DDR4内存模块的传输速度达到2400Mbps，比上一代DDR3产品快29%。即使在企业级应用中，1866Mbps以上的速度也更为常见。新DDR4不仅提升了速度，还显著降低了能耗，对于构建大型数据中心或云存储设施极为有利，尤其是只需1.2v电压。

目前，三星的这两个新产品已经上市，价格根据订单规模提供给企业客户。此外，三星还提供了20nm 4GB DDR3 PC内存和6GB LPDDR3移动设备内存。预计未来，三星将利用3D TSV技术，正式推出高达128GB容量的DDR4内存，再次引领内存市场的发展。