测得一放大电路中三极管各极电压如图所示,该管是什么管,怎么判断?

PNP型的，因为三极管的三脚顺从左到右序分别是ebc，而如果是PNP型的话，则e极电位最高，c极电位最低，NPN型则相反，判断依据是三极管工作时的电流方向，电流从高电位流向低电位，希望能帮到你

无源谐振腔是一种光学装置，其特点在于不需要外部能源驱动，通过腔体结构自身的特性来实现光的谐振和增强。在激光技术中，无源谐振腔设计对于提高激光输出性能至关重要。腔体的形状、长度、稳定性以及精细度等参数，决定了谐振腔的性能和光谱分辨率。通过精确控制这些参数，可以实现对光波的有效调控和输出性能的优化。矢量网络分析 (VNA) 是最重要的射频和微波测量方法之一。 创远信科提供广泛的多功能、高性能网络分析仪（最高40GHz）和标准多端口解决方案。创远信科的矢量网络分析仪非常适用于分析无源及有源器件，比如滤波器、放大器、混频器及多端口模块。 ...

【答案】：DPNP和NPN型半导体三极管具有几乎等同的特性，只是各电极端的电压极性和电流流向不一样，如题解图所示。题解图晶体管工作于放大状态的外部条件是：发射结正偏，集电结反偏。三个电极的电位关系为：NPN管，UC＞UB＞UE；PNP管，UC＜UB＜UE。正向压降：①NPN型硅管为＋（0.6～0.8）V，...

一、简单的判断三极管好坏的方法：首先看三极管的类型，判断是硅管还是锗管，根据三极管的类型的特性，利用三极管内 PN 结的单向导电性用，用仪器万能表，检查各极间 PN 结的正反向电阻，如果相差较大说明管子是好的，如 果正反向电阻都大，说明管子内部有断路或者 PN 结性能不好。如果正反向电阻都小...

1）发射结导通电压 Ub-Ue=|0.7V| 时为硅管，Ub-Ue=|0.2V| 时为锗管，；2）NPN三极管，在三极管导通情况下；当 Uc>Ub>Ue 时三极管处在放大状态， Ub>=Uc>Ue，则处在饱和状态；PNP三极管，在三极管导通情况下；当 Ue>Ub>Uc 时三极管处在放大状态， Ue>Uc>=Ub，则处在饱和状态；...

即集电极电位高于基极电位。对于NPN管，放大状态时电位最高的是集电极，最低的是发射极。对于PNP管。放大状态时电位最高的是发射极，最低的是集电极。根据你给的三个电压-3、-2.7有0.3V的压差，属于锗管发射结。-2.7>-3，则-2.7是基极，-3是发射极。剩下一个电极电压最高3V就是集电极C。

用直流电压表测的放大电路中某三极管各极电位分别是2V，6V，2．7V，则6V的电极是集电极，2．7V的电极是基极，2V的电极是发射极，该管是NPN型。NPN管，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，发射区与基区之间形成的PN结称为发射结，而集电区与基区形成的PN结称为集电结，三条引线...

7V（或0.2V）电压，如果是0.7那就是硅管，0.2就是锗管。且这两个管脚对应为基极和发射极。其次判断所剩下的另一个电极C（集电极），所剩电极单位最高，则是NPN型三极管，为最低则为PNP型三极管。三极管放大电路中NPN管电位高低排序为Vc>Vb>Ve，在PNP管Ve>Vb>Vc。

这是一只硅材料、npn型三极管。4.2V为基极b；3.5V为发射极e；9.6V为集电极c。理由：上述标称电压为正电压，因此判断为NPN型，如果是PNP型前面有负号。三极管处在放大状态时，基极电位高于发射极0.7V左右。如果是锗材料管，电压相差为 0.3V。

解：1、已知这是放大电路，可认为晶体管处于放大状态。2、晶体管处于放大状态时，｜Uc｜＞｜Ub｜＞｜Ue｜，且硅管｜Ube｜=0.6V~0.7V，因U2-U3=2-1.4=0.6V可判断这是硅管。3、各极电压均为正，可判断这是NPN型管。4、由第2条可判断出Uc=U1=5V，Ub=U2=2V，Ue=U3=1.4V。

NPN型硅管。发射极电位为零，基极电位0.7V ，集电极电位4.7V 。比较3电压大小，V2为中间电压，故为B极，与其相差不大的为V3 ，管脚3则为E极，所以管脚1为C极了。因B极电压与E极电压相差0.7，所以所用材料为Si,如果二者电压相差0.2则材料为Ge。因为Vb<Ve，所以管型为PNP 反之为NPN型。