如何正确理解SiC MOSFET的静态和动态特性

首先，温度对CoolSiC™ MOSFET的导通特性影响显著。漏极-源极导通电阻RDS(on)随温度上升而增加，阈值电压VGS(th)则随温度下降。图1展示了不同温度下的输出特性，以及与DMOS元件的对比，SiC MOSFET的正温度系数特性有助于并联使用。同步整流技术在体二极管导通特性优化中发挥重要作用，尤其是与IGBT对...

通常情况下，我们会按照结构模型把系统产生的数据分为三种类型：结构化数据、半结构化数据和非结构化数据。结构化数据，即行数据，是存储在数据库里，可以用二维表结构来逻辑表达实现的数据。最常见的就是数字数据和文本数据，它们可以某种标准...

1、采用二次扩散工艺制作的MOS管会把二次扩散的N+型区和P型区连接起来，这就相当于在S和D之间寄生了一个二极管，这个二极管会影响MOSFET的静态和动态特性。2、有些人在使用二极管是为了防止S的电压高于D，就反向并联一个二极管，起到钳位保护作用。

7. 从开关特性来看，SiC MOSFET的关断损耗显著低于IGBT，没有拖尾电流，开通时的反向恢复电流也更小。8. SiC MOSFET的导通特性使其在轻载时表现出更低的损耗，特别是在CoolSiC™ MOSFET的优化下，无论是大电流还是小电流工况，都能提供卓越性能。9. 在具体测试中，采用CoolSiC™ MOSFET ...

二、特殊类型与应用</MOS体二极管利用PMOS的特性，能有效防止反接，确保电路安全。SiC MOSFET体二极管则因其高可靠性，尤其在系统设计中扮演重要角色。然而，1700V耐压的4H-SiC MOSFET中，漂移层的缺陷会带来挑战，如BPDs（基晶面错位）影响高压大功率应用。体二极管在正向偏置时，电子-空穴重组可能导致性...

静态特性测试面临挑战 随着半导体制程的提升，测试和验证的重要性日益凸显。功率半导体器件的静态特性测试主要涉及击穿电压、漏电流、阈值电压等参数。然而，功率器件的工作环境要求高，对测试工具提出了更高的挑战。更高精度、更高产量 并联应用要求测试精度提升，确保一致性。终端市场需求量大，要求测试效率...

设计用于高DI/DT操作，超快速恢复电流和SIC器件之间的竞争允许MOSFET和散热器的尺寸减小。两个300V二极管具有相同热条件的内部陶瓷绝缘器件。它可以与MOSFET放在同一个散热器上，并可以在公共或独立的散热器上灵活散热。通过设计确保内部二极管的静态和动态平衡。强源信电子原厂渠道代理各系列MOS、IGBT、FRD...

1. 应用环境：如果所应用系统需要在超过200KHz以上的频率工作，首选GaN晶体管，次选SiC MOSFET；若工作频率低于200KHz，两者都可以使用。2. 能耗要求：GaN在较低电流和较高开关频率的应用中，由于其无需反恐结构和较低的动态开关损耗，有较好的功率转换效率。而在较高电流，或者更关心系统的稳定性和故障...

4. 在电力机车领域，一般需要使用500个IGBT模块，而动车组则需要超过100个IGBT模块，一节地铁则需要50-80个IGBT模块。5. 三菱电机的HVIGBT已经成为行业内的默认标准。在中国，高速机车所用的IGBT几乎完全依赖三菱电机，而在欧洲的阿尔斯通、西门子、庞巴迪等公司，超过一半的设备也采用三菱电机的IGBT。

双电极电压特性: 稳态冲击电压Va对应于直流电压Vdc，峰值电压Vp代表着电压的峰值，而过冲电压Vos，即所谓的“电压振荡”，在 PWM 控制电驱动系统中尤为重要。它与电回路中的杂散电感密切相关，特别是在SiC-MOSFET替代传统Si-IGBT时，更高的di/dt会导致Vos的增加，这在800V系统中尤其显著，除了轴承电...

2. 能耗要求：- GaN在低电流、高开关频率的应用中表现优异，因其无需辅助结构和较低的动态开关损耗，能实现高效的功率转换。- 在高电流应用或更注重系统稳定性和故障率的情况下，SiC的优势可能更加明显。SiC MOSFET在高压应用中具有显著优势，能够直接替代硅材料，并且在输出特性、开关特性和损耗方面均优...