氧化物半导体有哪些

氧化锌（ZnO）是一种常见的氧化物半导体。它具有宽的带隙和较高的热稳定性，因此在许多电子设备中都有应用。此外，ZnO在紫外光探测器和透明薄膜晶体管中也有广泛的应用。氧化钛（TiO₂）也是一种重要的氧化物半导体。它因其独特的光电性能，被广泛应用于太阳能电池、光催化等领域。TiO₂有...

氧化物半导体ZnO、CdO、SnO2等常用于制造气敏元件，Fe2O3、Cr2O3、Al2O3等常用于制造湿敏元件；SnO2膜用于制做透明电极等。

IGZO是一种金属氧化物半导体。IGZO，全称为铟镓锌氧化物（Indium Gallium Zinc Oxide），是一种新兴的半导体材料，近年来在电子器件领域引起了广泛关注。IGZO的主要特点是具有高载流子迁移率、良好的透明性以及可低温加工等优势，这些特性使得它在显示技术、透明电子器件以及柔性电子等领域具有广阔的应用前景。...

氧化物半导体是通常容易成为绝缘体的氧化物，但却具有半导体的性质。在众多物质当中，最受关注的是“透明非晶氧化物半导体（TAOS：Transparent Amorphous Oxide Semiconductors）”。非晶IGZO（In-Ga-Zn-O）就是一个代表性例子。除了三星和LG显示器等韩国企业外，日本的夏普、凸版印刷以及佳能等企业也在致力于...

nio2为p型半导体。氧化物半导体材料的平衡组成因氧的压力改变而改变，氧原子浓度决定其导电的类型。由于金属和氧之间的负电性差别较大，化学键离子性成分较强，破坏这样一个离子键要比共价键容易，使它含有的点缺陷浓度较大，所以化学计量比偏离对材料的电学性质影响也大。如化学计量比偏离缺氧时(或金属...

半导体中CMOS指的是互补金属氧化物半导体。1、COMS概念 NMOS（n型MOSFET）和PMOS（p型MOSFET）的基本元件可以在硅片模板上制作，因为NMO和PMO在物理特性上是互补的，所以它们被称为CMOS，是一个集成电路的设计工艺。CMOS是主板上的一块可读写的并行或串行FLASH芯片，是用来保存BIOS的硬件配置和用户对某些...

半导体材料：氧化锌半导瓷 化学式：ZnO 基本概况：ZnO（氧化锌）是一种新型的化合物半导体材料，属于Ⅱ-Ⅵ族宽禁带半导体。在常温常压下，它是一种典型的直接宽禁带半导体材料，其稳定相是六方纤锌矿结构。氧化锌具有较高的能带隙和激子束缚能，透明度高，因此在半导体领域的液晶显示器、薄膜晶体管、发光...

半导体材料主要有硅、锗、硒等。半导体材料很多，按化学成分可分为元素半导体和化合物半导体两大类。锗和硅是最常用的元素半导体。化合物半导体包括第Ⅲ和第Ⅴ族化合物（砷化镓、磷化镓等）、第Ⅱ和第Ⅵ族化合物（硫化镉、硫化锌等）、氧化物（锰、铬、铁、铜的氧化物），以及由Ⅲ－Ⅴ族化合物和Ⅱ－...

常见的半导体材料有如下：锗和硅是最常用的元素半导体;化合物半导体包括第Ⅲ和第Ⅴ族化合物（砷化镓、磷化镓等）、第Ⅱ和第Ⅵ族化合物（ 硫化镉、硫化锌等）、氧化物（锰、铬、铁、铜的氧化物），以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物组成的固溶体（镓铝砷、镓砷磷等）。除上述晶态半导体外，还有...

金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）是一种广泛应用在模拟和数字电路的场效晶体管，包含N沟道型和P沟道型，分别称为N型金氧半场效晶体管（NMOSFET）与P型金氧半场效晶体管（PMOSFET）。MOSFET的命名可能导致误解，因为它的结构中并未使用金属。早期的金氧半场效晶体管栅极使用金属材料，但现代技术已采用...