调整静态工作点时，Rb2要用一固定电阻与电位器串联，而不能直接用电位器,为什么

发布网友 发布时间：2022-05-07 16:30

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热心网友 时间：2023-11-06 14:11

你好！
简单说为了防止电位器阻值调到最小值时，晶体管be极电压低于导通电压而截止。说实话我多年没研究了，忘了不少，好像还有反馈稳定工作点的目的吧。
希望对你有所帮助，望采纳。

热心网友 时间：2023-11-06 14:11

使用微调电阻调整静态工作点时，微调电阻是与三极管的发射结串联接到电源电压Vcc上，我们知道，发射结能承受的电压只有零点几伏（硅管0.7V；锗管0.3V），若超过较多就会产生很大的电流，而发射结设计是不能承受很大电流的。
当微调电阻调到零时，发射结就直接接到Vcc上，将导致发射结立刻烧毁！所以，要给这个微调电阻上串联一个固定电阻做为保护之用。

热心网友 时间：2023-11-06 14:11

你好！
简单说为了防止电位器阻值调到最小值时，晶体管be极电压低于导通电压而截止。说实话我多年没研究了，忘了不少，好像还有反馈稳定工作点的目的吧。
希望对你有所帮助，望采纳。

热心网友 时间：2023-11-06 14:11

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简单说为了防止电位器阻值调到最小值时，晶体管be极电压低于导通电压而截止。说实话我多年没研究了，忘了不少，好像还有反馈稳定工作点的目的吧。
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热心网友 时间：2023-11-06 14:11

使用微调电阻调整静态工作点时，微调电阻是与三极管的发射结串联接到电源电压Vcc上，我们知道，发射结能承受的电压只有零点几伏（硅管0.7V；锗管0.3V），若超过较多就会产生很大的电流，而发射结设计是不能承受很大电流的。
当微调电阻调到零时，发射结就直接接到Vcc上，将导致发射结立刻烧毁！所以，要给这个微调电阻上串联一个固定电阻做为保护之用。

热心网友 时间：2023-11-06 14:11

使用微调电阻调整静态工作点时，微调电阻是与三极管的发射结串联接到电源电压Vcc上，我们知道，发射结能承受的电压只有零点几伏（硅管0.7V；锗管0.3V），若超过较多就会产生很大的电流，而发射结设计是不能承受很大电流的。
当微调电阻调到零时，发射结就直接接到Vcc上，将导致发射结立刻烧毁！所以，要给这个微调电阻上串联一个固定电阻做为保护之用。

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简单说为了防止电位器阻值调到最小值时，晶体管be极电压低于导通电压而截止。说实话我多年没研究了，忘了不少，好像还有反馈稳定工作点的目的吧。
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使用微调电阻调整静态工作点时，微调电阻是与三极管的发射结串联接到电源电压Vcc上，我们知道，发射结能承受的电压只有零点几伏（硅管0.7V；锗管0.3V），若超过较多就会产生很大的电流，而发射结设计是不能承受很大电流的。
当微调电阻调到零时，发射结就直接接到Vcc上，将导致发射结立刻烧毁！所以，要给这个微调电阻上串联一个固定电阻做为保护之用。

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使用微调电阻调整静态工作点时，微调电阻是与三极管的发射结串联接到电源电压Vcc上，我们知道，发射结能承受的电压只有零点几伏（硅管0.7V；锗管0.3V），若超过较多就会产生很大的电流，而发射结设计是不能承受很大电流的。
当微调电阻调到零时，发射结就直接接到Vcc上，将导致发射结立刻烧毁！所以，要给这个微调电阻上串联一个固定电阻做为保护之用。

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简单说为了防止电位器阻值调到最小值时，晶体管be极电压低于导通电压而截止。说实话我多年没研究了，忘了不少，好像还有反馈稳定工作点的目的吧。
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使用微调电阻调整静态工作点时，微调电阻是与三极管的发射结串联接到电源电压Vcc上，我们知道，发射结能承受的电压只有零点几伏（硅管0.7V；锗管0.3V），若超过较多就会产生很大的电流，而发射结设计是不能承受很大电流的。
当微调电阻调到零时，发射结就直接接到Vcc上，将导致发射结立刻烧毁！所以，要给这个微调电阻上串联一个固定电阻做为保护之用。

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使用微调电阻调整静态工作点时，微调电阻是与三极管的发射结串联接到电源电压Vcc上，我们知道，发射结能承受的电压只有零点几伏（硅管0.7V；锗管0.3V），若超过较多就会产生很大的电流，而发射结设计是不能承受很大电流的。
当微调电阻调到零时，发射结就直接接到Vcc上，将导致发射结立刻烧毁！所以，要给这个微调电阻上串联一个固定电阻做为保护之用。

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使用微调电阻调整静态工作点时，微调电阻是与三极管的发射结串联接到电源电压Vcc上，我们知道，发射结能承受的电压只有零点几伏（硅管0.7V；锗管0.3V），若超过较多就会产生很大的电流，而发射结设计是不能承受很大电流的。
当微调电阻调到零时，发射结就直接接到Vcc上，将导致发射结立刻烧毁！所以，要给这个微调电阻上串联一个固定电阻做为保护之用。