浅谈在长沟道和短沟道下MOS管的Vdsat和Vov的区别和联系

发布网友发布时间：2024-10-15 08:57

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热心网友时间：2024-12-05 23:29

在电子器件中，MOS管的Vdsat和Vov是两个关键参数，分别代表了不同的工作状态。Vdsat，即饱和漏源电压，当MOS管进入刚性状态或即将关闭时，漏源电压达到这个值。在长沟道条件下，Vdsat的计算简单，等于栅源电压Vgs减去阈值电压Vth，Vov（过驱动电压）同样等于这个差值，因此在长沟道中，Vdsat和Vov是相等的。

然而，短沟道效应改变了这一规律。由于二阶效应，短沟道中的MOS管在电流饱和之前，Vdsat就可能达到。沟道内的多子由于速度饱和效应，当Vds达到Vdsat时，电流饱和不再增加，即使Vds还没达到Vov。在短沟道器件中，Vdsat的出现标志着饱和，而Vov是夹断（pich-off）的触发点。简而言之，短沟道的情况是先饱和（Vdsat）后夹断（Vov）。

为了确保稳定工作，通常在实际应用中，Vds和Vdsat之间会预留一定的余量，比如200mV，这样可以防止因电压波动导致的不必要的过驱动或提前夹断。