如何应对sic mosfet的极高的dv/dt

技术革新：SiC MOSFET与IGBT的对比从开关特性来看，SiC MOSFET的关断损耗显著低于IGBT，没有拖尾电流，开通时的反向恢复电流也更小。这不仅降低了能耗，还允许在高dv/dt条件下实现更高效的开关。而且，SiC MOSFET的导通特性使其在轻载时表现出更低的损耗，特别是在CoolSiC MOSFET的优化下，无论是大电流...

威孚（苏州）半导体技术有限公司是一家专注生产、研发、销售晶圆传输设备整机模块（EFEM/SORTER）及核心零部件的高科技半导体公司。公司核心团队均拥有多年半导体行业从业经验，其中技术团队成员博士、硕士学历占比80%以上，依托丰富的软件底层...

双电极电压特性: 稳态冲击电压Va对应于直流电压Vdc，峰值电压Vp代表着电压的峰值，而过冲电压Vos，即所谓的“电压振荡”，在 PWM 控制电驱动系统中尤为重要。它与电回路中的杂散电感密切相关，特别是在SiC-MOSFET替代传统Si-IGBT时，更高的di/dt会导致Vos的增加，这在800V系统中尤其显著，除了轴承电腐...

在控制器中，我们选择SiC MOSFET替换Si IGBT，如Mitsubishi的PSF15S92F6-A，利用SiC SBD如罗姆的SCS320AHG进行优化。驱动方案方面，如BM61S41RFV-C，我们注重电流、散热和阈值电压特性，以保证稳定运行。SiC MOSFET的栅源电压设计需足够高以减小导通电阻，如4-5V的裕量和18V开通电压。技术细节</ 驱动...

首先，温度对CoolSiC™ MOSFET的导通特性影响显著。漏极-源极导通电阻RDS(on)随温度上升而增加，阈值电压VGS(th)则随温度下降。图1展示了不同温度下的输出特性，以及与DMOS元件的对比，SiC MOSFET的正温度系数特性有助于并联使用。同步整流技术在体二极管导通特性优化中发挥重要作用，尤其是与IGBT对...

8. SiC技术可以提高逆变器的效率，降低开关损耗、封装体积、冷却能力、工作温度和功率模块的重量。9. 电机的绝缘系统必须承受过冲电压，过冲电压是由800V的电压水平、高开关频率和dv/dt共同造成的。这些系统的测试电压也会增加。电机和逆变器输出端子之间的电缆长度必须设计得尽可能短，以防止反射电压波...

IGBT主要有三个发展方向：1)IGBT纵向结构：非透明集电区NPT型、带缓冲层的PT型、透明集电区NPT型和FS电场截止型;2)IGBT棚极结构：平面棚机构、Trench沟槽型结构;3)硅片加工工艺：外延生长技术、区熔硅单晶。以上数据来源于前瞻产业研究院《中国IGBT芯片行业市场前瞻与投资战略规划分析报告》...

1. IGBT在电机驱动系统中的成本占比高达一半，而电机驱动系统本身在整车成本中占据15-20%的比重。这意味着，IGBT在整车成本中占据了大约7-10%的份额，成为除电池之外成本第二高的元件，其性能直接影响着整车的能源效率。2. 对于新能源车辆而言，电池、VCU、BSM以及电机的效率提升空间已经有限，因此，...

相较于硅，SiC在功率应用中的优势在于其更高的带隙，这使得电子设备更小、运行更高效且能在更高温度、电压和频率下工作。硅的1.12eV带隙与SiC的3.26eV相比，明显不足。此外，SiC的电场击穿强度比硅高十倍，允许制造出具有极高击穿电压的器件。在高频应用中，碳化硅的肖特基二极管和MOSFET能提供低...

1、OSFET：MOSFET是一种常用的功率晶体管，适用于高频开关应用。有低开关损耗、高开关速度和较低的导通电阻，可在高频率下实现高效的功率转换。2、IGBT：IGBT是一种结合了MOSFET和双极型晶体管特性的功率晶体管。有较高的开关速度和较低的导通电阻，适用于高频开关和高功率应用。3、SiCMOSFET：SiCMOSFET...

40k到300kHZ之间，我做无铁心电机，100kHz就够了