三凌IGBT和英飞凌FS150R12KT4,有没有代用
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发布时间:2022-05-29 07:59
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热心网友
时间:2023-10-12 00:22
没有。
德国infineon(英飞凌)公司生产的IGBT模块品种繁多,为了使客户选型方便,我们对其按电压等级进行分类,共有600V/650V、1200V、1600V/1700V、3300V、4500V/6500V五种电压等级。
IGBT3的元胞结构从平面型变成了沟槽型。沟槽型IGBT中,电子沟道垂直于硅片表面,消除了JFET结构,增加了表面沟道密度,提高近表面载流子浓度,从而使性能更加优化。纵向结构方面,为了缓解阻断电压与饱和压降之间的矛盾,英家于2000年推出了Field Stop IGBT,目标在于尽量减少漂移区厚度,从而降低饱和电压。场截止(Field Stop)IGBT起始材料和NPT相同,都是低掺杂的N-衬底,不同在于FS IGBT背面多注入了一个N buffer层,它的掺杂浓度略高于N-衬底,因此可以迅速降低电场强度,使整体电场呈梯形,从而使所需的N-漂移区厚度大大减小。